CVD SiC bevonatú ostya A hordótartó az epitaxiális növesztő kemencék kulcsfontosságú eleme, széles körben használják a MOCVD epitaxiális növesztőkemencékben. A VeTek Semiconductor nagymértékben testreszabott termékeket kínál Önnek. Nem számít, milyen igényei vannak a CVD SiC bevonatú ostya hordótartóval kapcsolatban, szívesen látunk tanácsot.
A fém szerves kémiai gőzleválasztás (MOCVD) jelenleg a legforróbb epitaxiális növekedési technológia, amelyet széles körben használnak félvezető lézerek és LED-ek, különösen a GaN epitaxia gyártásában. Az epitaxia egy másik egykristály film növekedését jelenti egy kristályhordozón. Az epitaxiás technológia biztosíthatja, hogy az újonnan növesztett kristályfilm szerkezetileg illeszkedjen az alatta lévő kristályhordozóhoz. Ez a technológia lehetővé teszi speciális tulajdonságokkal rendelkező filmek növesztését a hordozón, ami elengedhetetlen a nagy teljesítményű félvezető eszközök gyártásához.
Az ostyahordó tartó az epitaxiális növesztő kemence kulcsfontosságú eleme. A CVD SiC bevonatú ostyatartót széles körben használják különféle CVD epitaxiális növesztőkemencékben, különösen a MOCVD epitaxiális növesztőkemencékben.
● Aljzatok szállítása és melegítése: A CVD SiC bevonatú hordó szuszceptor a hordozók hordozására és a szükséges fűtés biztosítására szolgál a MOCVD folyamat során. CVD SiC bevonatú ostya A hordótartó nagy tisztaságú grafitból és SiC bevonatból áll, és kiváló teljesítményt nyújt.
● Egyenletesség: A MOCVD folyamat során a Graphite Barrel tartó folyamatosan forog az epitaxiális réteg egyenletes növekedése érdekében.
● Hőstabilitás és termikus egyenletesség: A SiC Coated Barrel Susceptor SiC bevonata kiváló hőstabilitással és hő egyenletességgel rendelkezik, ezáltal biztosítja az epitaxiális réteg minőségét.
● Kerülje a szennyeződést: A CVD SiC bevonatú ostya hordótartó kiváló stabilitással rendelkezik, így nem okoz működés közben lehulló szennyeződéseket.
● Ultra hosszú élettartam: A SiC bevonat miatt a CVD SiC Coated BAz arrel Susceptor továbbra is elegendő tartóssággal rendelkezik a MOCVD magas hőmérsékletű és korrozív gázkörnyezetében.
A Barrel CVD reaktor vázlata
● A legmagasabb fokú testreszabhatóság: A grafit szubsztrát anyagösszetétele, a SiC bevonat anyagösszetétele és vastagsága, valamint az ostyatartó szerkezete mind személyre szabható az ügyfél igényei szerint.
● Más beszállítók előtt lenni: A VeTek Semiconductor SiC bevonatú grafithordós szuszceptor EPI-hez is testreszabható az ügyfelek igényei szerint. A belső falon összetett mintákat készíthetünk a vásárlói igények kielégítésére.
Megalakulása óta a VeTek Semiconductor elkötelezett a SiC bevonat technológia folyamatos feltárása mellett. Napjainkban a VeTek Semiconductor az iparág vezető SiC bevonattermékével rendelkezik. A VeTek Semiconductor alig várja, hogy partnere lehessen a CVD SiC bevonatú ostya hordótartó termékekben.
A CVD SiC bevonat alapvető fizikai tulajdonságai
Ingatlan
Tipikus érték
Kristályszerkezet
FCC β fázisú polikristályos, főleg (111) orientált
Sűrűség
3,21 g/cm³
Keménység
2500 Vickers keménység (500g terhelés)
szemcseméret
2~10μm
Kémiai tisztaság
99,99995%
Hőkapacitás
640 J·kg-1·K-1
Szublimációs hőmérséklet
2700 ℃
Hajlító szilárdság
415 MPa RT 4 pontos
Young's Modulus
430 Gpa 4pt kanyar, 1300 ℃
Hővezetőképesség
300W·m-1·K-1
Hőtágulás (CTE)
4,5×10-6K-1