A szilícium epitaxia jellemzői

A szilícium epitaxia jellemzői a következők:

Nagy tisztaság: A kémiai gőzleválasztással (CVD) növesztett szilícium epitaxiális réteg rendkívül nagy tisztaságú, jobb felületi síksággal és kisebb hibasűrűséggel rendelkezik, mint a hagyományos ostyák.

Vékonyréteg egyenletesség: A szilícium epitaxia nagyon egyenletes vékony filmet képezhet bizonyos garantált növekedési sebesség mellett. Ezzel egyidejűleg elérhető a melegítés egyenletessége, ezáltal csökkennek a kristályszerkezeti hibák és javul a kristály minősége.

Erős irányíthatóság: A szilícium epitaxiás technológia pontosan tudja szabályozni a szilícium anyagok morfológiáját, méretét és szerkezetét, és összetett kristályszerkezeteket, például többrétegű heterojunkciókat növeszthet.

Nagy szeletátmérő: A szilícium epitaxiális növesztési technológiával nagy átmérőjű szilíciumlapkák nevelhetők, és a nagy átmérőjű szilíciumlapkák előállításának képessége döntő fontosságú a félvezetők gyártásához.

Folyamat megbízhatóság: A szilícium epitaxiális eljárás sokszor újrafelhasználható, ami nagy jelentőséggel bír a félvezető eszközök tömeggyártása szempontjából.