> Termékek > Tantál-karbid bevonat > SiC Single Crystal Growth Process alkatrészek

Termékek

új termékek

Kína SiC Single Crystal Growth Process alkatrészek Gyártó, szállító, gyár

A VeTek Semiconductor terméke, a szilícium-karbid (SiC Single Crystal Growth Process) tantál-karbid (TaC) bevonattermékei a szilícium-karbid (SiC) kristályok növekedési határfelületével kapcsolatos kihívásokat, különösen a kristály szélén fellépő átfogó hibákat kezelik. A TaC bevonattal a kristálynövekedés minőségének javítására törekszünk, és növeljük a kristály középpontjának effektív területét, ami elengedhetetlen a gyors és vastag növekedés eléréséhez.

A TaC bevonat alapvető technológiai megoldás a kiváló minőségű SiC egykristály növesztési folyamathoz. Sikeresen fejlesztettünk ki egy kémiai gőzleválasztást (CVD) alkalmazó TaC bevonat technológiát, amely nemzetközileg is fejlett szintet ért el. A TaC kivételes tulajdonságokkal rendelkezik, beleértve a 3880 °C-ig terjedő magas olvadáspontot, kiváló mechanikai szilárdságot, keménységet és hősokkállóságot. Ezenkívül jó kémiai tehetetlenséget és termikus stabilitást mutat, amikor magas hőmérsékletnek és olyan anyagoknak van kitéve, mint az ammónia, hidrogén és szilíciumtartalmú gőz.

A VeTek Semiconductor tantál-karbid (TaC) bevonata megoldást kínál a SiC Single Crystal Growth Process élekkel kapcsolatos problémáinak kezelésére, javítva a növekedési folyamat minőségét és hatékonyságát. Fejlett TaC bevonattechnológiánkkal célunk a harmadik generációs félvezetőipar fejlődésének támogatása és az importált kulcsanyagoktól való függés csökkentése.

PVT módszer SiC Egykristály növesztési folyamat alkatrészek:

TaC bevonatos tégely, magtartó TaC bevonattal, TaC bevonat vezetőgyűrű fontos részei a SiC és AIN egykristályos kemencéknek PVT módszerrel.

Legfontosabb jellemzője:

- Magas hőmérsékletállóság

-Nagy tisztaságú, nem szennyezi a SiC nyersanyagokat és a SiC egykristályokat.

- Ellenáll az Al-gőznek és az N2-korróziónak

-Magas eutektikus hőmérséklet (AlN-nel) a kristály-előkészítési ciklus lerövidítésére.

-Újrahasznosítható (200 óráig), javítja az ilyen egykristályok előállításának fenntarthatóságát és hatékonyságát.

TaC bevonat jellemzői

A Tac Coating tipikus fizikai tulajdonságai

A TaC bevonat fizikai tulajdonságai
Sűrűség	14,3 (g/cm³)
Fajlagos emissziós tényező	0.3
Hőtágulási együttható	6,3 10-6/K
Keménység (HK)	2000 HK
Ellenállás	1×10-5 Ohm*cm
Hőstabilitás	<2500 ℃
A grafit mérete megváltozik	-10-20um
Bevonat vastagsága	≥20um tipikus érték (35um±10um)

Tantál-karbid bevonatú terelőgyűrű TaC bevonatvezető gyűrű TaC bevonógyűrű Tantál-karbid bevonatú lemez TaC bevonatú tok TaC bevonat cső

View as

TaC bevonatú gyűrű

A TaC bevonatú gyűrűs termékek vezető gyártója és szállítója Kínában, a VeTek Semiconductor a különböző TaC bevonattermékek kutatás-fejlesztésére és gyártására összpontosít. A TaC Coating termékek fő vásárlóiként az európai és amerikai gyártók nagy dicséretben részesítették bevonó termékeinket. Üdvözöljük további konzultációján.

Olvass tovább Kérdés küldése

Tantál-karbid bevonatú gyűrű

A Tantál Carbide Coated Ring termékek professzionális megújítója és vezetőjeként Kínában, a VeTek félvezető tantál-karbid bevonatú gyűrű kiváló magas hőmérséklet-állóságával, kopásállóságával és kiváló hővezető képességével pótolhatatlan szerepet játszik a SiC kristályok növekedésében. Üdvözöljük további konzultációján.

Olvass tovább Kérdés küldése

CVD TaC bevonógyűrű

A VeTek Semiconductor CVD TaC bevonatgyűrűje egy rendkívül előnyös komponens, amelyet úgy terveztek, hogy megfeleljen a szilícium-karbid (SiC) kristálynövekedési folyamatok szigorú követelményeinek. A CVD TaC bevonatgyűrű kiemelkedő magas hőmérsékleti ellenállást és vegyi inertséget biztosít, így ideális választás magas hőmérséklettel és korrozív körülményekkel jellemezhető környezetekben. Elkötelezettek vagyunk amellett, hogy minőségi termékeket kínáljunk versenyképes áron, és várjuk, hogy hosszú távú partnere lehessünk. Kínában.

Olvass tovább Kérdés küldése

Porózus grafit TaC bevonattal

A porózus grafit TaC bevonattal a VeTek Semiconductor által biztosított fejlett félvezető-feldolgozó anyag. A porózus grafit TaC bevonattal egyesíti a porózus grafit és tantál-karbid (TaC) bevonat előnyeit, jó hővezető képességgel és gázáteresztő képességgel. A VeTek Semiconductor elkötelezett amellett, hogy minőségi termékeket kínáljon versenyképes áron, és reméljük, hogy hosszú távú partnere lehetünk Kínában.

Olvass tovább Kérdés küldése

Tantál-karbid bevonatú cső a kristálynövekedéshez

A VeTek Semiconductor egy vezető tantál-karbid bevonatú cső a kristálynövekedéshez Kínában. Sok éve foglalkozunk kerámia bevonattal. Termékeink nagy tisztaságúak és magas hőmérséklet-állósággal rendelkeznek. Várjuk, hogy az Ön hosszú távú partnerévé váljunk. Kínában.

Olvass tovább Kérdés küldése

TaC bevonatú vezetőgyűrű

A VeTek Semiconductor a vezető TaC bevonatú vezetőgyűrű gyártó és innovátor Kínában. Sok éve foglalkozunk kerámia bevonattal. A TaC bevonatú vezetőgyűrűt elsősorban a légáramlás irányítására és szabályozására használják, növelve az egykristálynövekedés hozamát. Üdvözöljük, keressen minket további információkért.

Olvass tovább Kérdés küldése

<1 2 >

Professzionális SiC Single Crystal Growth Process alkatrészek gyártóként és beszállítóként Kínában saját gyárunk van. Ha személyre szabott szolgáltatásokra van szüksége régiója speciális igényeihez, vagy fejlett és tartós Kínában gyártott SiC Single Crystal Growth Process alkatrészek terméket szeretne vásárolni, írjon nekünk.