A szilícium-karbid szubsztrátumgyártók általában porózus grafithengerrel ellátott tégelyt használnak a forrómezős eljáráshoz. Ez a kialakítás növeli a párolgási területet és a töltési térfogatot. Új eljárást fejlesztettek ki a kristályhibák kezelésére, a tömegátadás stabilizálására és a SiC kristályminőség javítására. Mag nélküli kristálytálcás rögzítési módszert tartalmaz a hőtágulás és a feszültség enyhítése érdekében. A tégelyes grafit és a porózus grafit korlátozott piaci kínálata azonban kihívást jelent a SiC egykristályok minősége és hozama szempontjából.
1. Magas hőmérsékletű környezeti tolerancia - A termék ellenáll a 2500 Celsius fokos környezetnek, kiváló hőállóságot bizonyítva.
2. Szigorú porozitás-szabályozás – A VeTek Semiconductor szigorú porozitás-szabályozást biztosít, biztosítva az egyenletes teljesítményt.
3. Ultra-nagy tisztaság – A felhasznált porózus grafitanyag szigorú tisztítási eljárások révén magas tisztasági szintet ér el.
4.Kiváló felületi részecskemegkötő képesség - A VeTek Semiconductor kiváló felületi részecskemegkötő képességgel és por tapadással szembeni ellenállással rendelkezik.
5. Gázszállítás, diffúzió és egyenletesség – A grafit porózus szerkezete elősegíti a hatékony gázszállítást és diffúziót, ami javítja a gázok és részecskék egyenletességét.
6. Minőségellenőrzés és stabilitás - A VeTek Semiconductor a magas tisztaságra, az alacsony szennyeződéstartalomra és a kémiai stabilitásra helyezi a hangsúlyt a kristálynövekedés minőségének biztosítása érdekében.
7. Hőmérsékletszabályozás és egyenletesség - A porózus grafit hővezető képessége egyenletes hőmérsékleteloszlást tesz lehetővé, csökkenti a növekedés során jelentkező feszültségeket és hibákat.
8. Fokozott oldott anyag diffúzió és növekedési sebesség - A porózus szerkezet elősegíti az oldott anyag egyenletes eloszlását, fokozva a kristályok növekedési sebességét és egyenletességét.
Professzionális és nagy teljesítményű gyártóként és beszállítóként a Vetek Semiconductor mindig is elkötelezett volt amellett, hogy nagy tisztaságú, fejlett porózus grafitot szállítson a piacra. Saját professzionális és kiváló csapatunkra támaszkodva képesek vagyunk ügyfeleinknek testre szabott termékeket kínálni versenyképes áron és hatékony megoldásokkal. A Vetek Semiconductor őszintén várja, hogy partnere lehessen Kínában.
Olvass továbbKérdés küldéseA VeTek Semiconductor a vezető SiC Crystal Growth porózus grafit gyártójaként és a kínai félvezetőipar vezető gyártójaként évek óta különféle porózus grafit termékekre összpontosít, mint például a porózus grafittégely, a nagy tisztaságú porózus grafit, a szilícium-karbid kristálynövekedést biztosító porózus grafit, a porózus grafit. A TaC Coated befektetése és kutatás-fejlesztése, porózus grafit termékeink nagy dicséretet nyertek európai és amerikai vásárlók körében. Őszintén várjuk, hogy partnere lehessünk Kínában.
Olvass továbbKérdés küldéseA VeTek Semiconductor porózus grafit, CVD SiC bevonat és CVD TAC COATING grafit szuszceptor professzionális gyártója Kínában. Valójában a porózus grafit a félvezető gyártási folyamatban használt mag fogyóeszközeként pótolhatatlan szerepet játszik több láncszemben, például a kristálynövekedésben, az adalékolásban és az izzításban. A VeTek Semiconductor elkötelezett amellett, hogy kiváló minőségű termékeket kínáljon versenyképes áron, és reméljük, hogy hosszú távú partnere lehetünk Kínában.
Olvass továbbKérdés küldéseA VeTek Semiconductor által biztosított nagy tisztaságú porózus grafit egy fejlett félvezető-feldolgozó anyag. Nagy tisztaságú szén anyagból készült, kiváló hővezető képességgel, jó kémiai stabilitással és kiváló mechanikai szilárdsággal. Ez a nagy tisztaságú porózus grafit fontos szerepet játszik az egykristályos SiC növekedési folyamatában. A VeTek Semiconductor elkötelezett amellett, hogy minőségi termékeket kínáljon versenyképes áron, és alig várja, hogy hosszú távú partnere legyen Kínában.
Olvass továbbKérdés küldése