Nagy tisztaságú porózus grafit

A VeTek Semiconductor által biztosított nagy tisztaságú porózus grafit egy fejlett félvezető-feldolgozó anyag. Nagy tisztaságú szén anyagból készült, kiváló hővezető képességgel, jó kémiai stabilitással és kiváló mechanikai szilárdsággal. Ez a nagy tisztaságú porózus grafit fontos szerepet játszik az egykristályos SiC növekedési folyamatában. A VeTek Semiconductor elkötelezett amellett, hogy minőségi termékeket kínáljon versenyképes áron, és alig várja, hogy hosszú távú partnere legyen Kínában.

Kérdés küldése

termékleírás

A kiváló minőségű VeTek Semiconductor nagy tisztaságú porózus grafitot a kínai VeTek Semiconductor gyártó kínálja. Vásároljon VeTek félvezető nagy tisztaságú porózus grafitot, amely kiváló minőségű közvetlenül alacsony áron.

A VeTek Semiconductor High Purity Porous Graphite a hőálló anyagok mesterműve, amely képes ellenállni a félvezető kemencékben előforduló szélsőséges hőmérsékleteknek. Kiváló tartóssága és hosszú élettartama kevesebb cserét és kevesebb állásidőt jelent, ami jelentős költségmegtakarítást eredményez az idő múlásával.

Nagy tisztaságú porózus grafitot gyártunk a legjobb minőségű szénforrásokból, hogy biztosítsuk a minimális szennyeződéseket és a minimális szennyeződés kockázatát. Ez a nagy tisztaság nagyobb hozamot és kiváló félvezető eszköz teljesítményt jelent.

Válassza a nagy tisztaságú porózus grafitot, ahol kivételes hőstabilitása egyenletes teljesítményt biztosít, így ideális a kritikus félvezető-feldolgozáshoz.

Frissítse félvezetőgyártását még ma, hogy nagy tisztaságú porózus grafitot használjon – egy olyan anyagot, amely megváltoztatja a jövő technológiájának gyártási módját. Lépjen kapcsolatba velünk még ma, hogy megvitassa egyedi igényeit, és elinduljon a félvezetőgyártás innovációs útjára. Dolgozzunk együtt egy kiváló félvezetőgyártási jövő létrehozásán!

A nagy tisztaságú porózus grafit termékparamétere

A porózus grafit jellemző fizikai tulajdonságai
ltems	Paraméter
Testsűrűség	0,89 g/cc
Nyomószilárdság	8,27 MPa
Hajlítószilárdság	8,27 MPa
Szakítószilárdság	1,72 MPa
Fajlagos ellenállás	130Ω-inX10-5
Porozitás	50%
Átlagos pórusméret	70um
Hővezető	12W/M*K