A VeTek Semiconductor a porózus tantál-karbid termékek professzionális gyártója és vezetője Kínában. A porózus tantál-karbidot általában kémiai gőzleválasztásos (CVD) módszerrel állítják elő, biztosítva a pórusméret és -eloszlás pontos szabályozását, és a magas hőmérsékletű szélsőséges környezetek számára készült anyageszköz. Üdvözöljük további konzultációján.
A VeTek félvezető porózus tantál-karbid (TaC) egy nagy teljesítményű kerámiaanyag, amely egyesíti a tantál és a szén tulajdonságait. Porózus szerkezete kiválóan alkalmas speciális alkalmazásokhoz magas hőmérsékleten és szélsőséges környezetben. A TaC kiváló keménységet, hőstabilitást és vegyszerállóságot egyesít, így ideális anyagválasztás a félvezető feldolgozásban.
A porózus tantál-karbid (TaC) tantálból (Ta) és szénből (C) áll, amelyben a tantál erős kémiai kötést hoz létre a szénatomokkal, rendkívül nagy tartósságot és kopásállóságot biztosítva az anyagnak. A Porous TaC porózus szerkezete az anyag gyártási folyamata során jön létre, és a porozitás az alkalmazási igényeknek megfelelően szabályozható. Ezt a terméket általában akémiai gőzleválasztás (CVD)módszerrel, biztosítva annak pórusméretének és eloszlásának pontos szabályozását.
A tantál-karbid molekuláris szerkezete
● Porozitás: A porózus szerkezet különböző funkciókat biztosít adott alkalmazási forgatókönyvekben, beleértve a gázdiffúziót, szűrést vagy szabályozott hőelvezetést.
● Magas olvadáspont: A tantál-karbid rendkívül magas, körülbelül 3880 °C olvadásponttal rendelkezik, amely rendkívül magas hőmérsékletű környezetekhez alkalmas.
● Kiváló keménység: A porózus TaC keménysége rendkívül magas, körülbelül 9-10 a Mohs-féle keménységi skálán, hasonlóan a gyémánthoz. , és extrém körülmények között is ellenáll a mechanikai kopásnak.
● Hőstabilitás: A tantál-karbid (TaC) anyag stabil marad magas hőmérsékletű környezetben, és erős hőstabilitással rendelkezik, így biztosítja állandó teljesítményét magas hőmérsékletű környezetben.
● Magas hővezető képesség: Porozitása ellenére a porózus tantál-karbid továbbra is megőrzi a jó hővezető képességet, így biztosítja a hatékony hőátadást.
● Alacsony hőtágulási együttható: A tantál-karbid (TaC) alacsony hőtágulási együtthatója segít, hogy az anyag méretei stabilak maradjanak jelentős hőmérséklet-ingadozások mellett is, és csökkenti a hőterhelés hatását.
Fizikai tulajdonságaiTaC bevonat
TaC bevonat sűrűsége
14,3 (g/cm³)
Fajlagos emissziós tényező
0.3
Hőtágulási együttható
6,3*10-6/K
TaC bevonat keménysége (HK)
2000 HK
Ellenállás
1×10-5 Ohm*cm
Hőstabilitás
<2500 ℃
A grafit mérete megváltozik
-10-20um
Bevonat vastagsága
≥20um tipikus érték (35um±10um)
A magas hőmérsékletű folyamatokban, mint plplazma maratásés CVD, VeTek félvezető porózus tantál-karbidot gyakran használják védőbevonatként a feldolgozó berendezésekben. Ennek oka az erős korrózióállóságTaC bevonatés magas hőmérsékleti stabilitása. Ezek a tulajdonságok biztosítják, hogy hatékonyan védi a reaktív gázoknak vagy szélsőséges hőmérsékleteknek kitett felületeket, ezáltal biztosítva a magas hőmérsékletű folyamatok normális reakcióját.
A diffúziós folyamatokban a porózus tantál-karbid hatékony diffúziós gátként szolgálhat, hogy megakadályozza az anyagok keveredését a magas hőmérsékletű folyamatokban. Ezt a funkciót gyakran használják az adalékanyagok diffúziójának szabályozására olyan eljárásokban, mint az ionimplantáció és a félvezető lapkák tisztaságának szabályozása.
A VeTek Semiconductor Porous Tantalum Carbide porózus szerkezete nagyon alkalmas olyan félvezető-feldolgozási környezetekben, ahol pontos gázáramlás-szabályozásra vagy szűrésre van szükség. Ebben a folyamatban a porózus TaC főként a gázszűrés és -elosztás szerepét tölti be. Kémiai tehetetlensége biztosítja, hogy a szűrési folyamat során ne kerüljenek be szennyeződések. Ez hatékonyan garantálja a feldolgozott termék tisztaságát.