SiC bevonatú ALD szuszceptor

VeTek SemiconductorSiC bevonatú ALD szuszceptorlétfontosságú szerepet játszik az atomi réteg lerakódásában (ALD) folyamat. Pontos hőmérsékletszabályozása, egyenletes gázeloszlása, nagy vegyszerállósága és kiváló hővezető képessége biztosítja a filmleválasztási folyamat egyenletességét és magas minőségét. Ha többet szeretne tudni, azonnal forduljon hozzánk és időben válaszolunk!

Pontos hőmérséklet szabályozás:

SiC bevonatú ALD szuszceptor általában nagy pontosságú hőmérséklet-szabályozó rendszerrel rendelkezik. Egyenletes hőmérsékletű környezetet képes fenntartani a leválasztási folyamat során, ami döntő fontosságú a film egyenletességének és minőségének biztosításához.

Egységes gázelosztás:

A SiC bevonatú ALD szuszceptor optimalizált kialakítása biztosítja a gáz egyenletes eloszlását az ALD leválasztási folyamat során. Szerkezete általában több forgó vagy mozgó alkatrészt tartalmaz, hogy elősegítse a reaktív gázok egyenletes lefedését a teljes lapkafelületen.

Magas vegyszerállóság:

Mivel az ALD-eljárás különféle vegyi gázokat tartalmaz, a SiC bevonatú ALD szuszceptor általában korrózióálló anyagokból (például platina, kerámia vagy nagy tisztaságú kvarc) készül, hogy ellenálljon a vegyi gázok eróziójának és a magas hőmérsékletű környezet hatásainak.

Kiváló hővezető képesség:

A hatékony hővezetés és a stabil lerakódási hőmérséklet fenntartása érdekében a SiC bevonatú ALD szuszceptorok általában nagy hővezető képességű anyagokat használnak. Ez segít elkerülni a helyi túlmelegedést és az egyenetlen lerakódást.

A CVD SiC bevonat alapvető fizikai tulajdonságai:

Termelő üzletek:

A félvezető chipek epitaxiás ipari láncának áttekintése：