ALD atomi réteges leválasztás receptje

Térbeli ALD, térben izolált atomréteg-lerakódás. Az ostya különböző pozíciók között mozog, és minden pozícióban különböző prekurzoroknak van kitéve. Az alábbi ábra a hagyományos ALD és a térben elszigetelt ALD összehasonlítása.

Időbeli ALD,ideiglenesen izolált atomi réteges lerakódás. Az ostyát rögzítik, és a prekurzorokat felváltva vezetik be és távolítják el a kamrában. Ezzel a módszerrel kiegyensúlyozottabb környezetben lehet feldolgozni az ostyát, ezáltal javítva az eredményeket, például a kritikus méretek tartományának jobb szabályozását. Az alábbi ábra a Temporal ALD sematikus diagramja.

Elzáró szelep, zárja el a szelepet. Általában használt，receptek, amelyek a vákuumszivattyú szelepének lezárására vagy a vákuumszivattyú elzárószelepének kinyitására szolgálnak.

Prekurzor, előfutár. Kettő vagy több, amelyek mindegyike tartalmazza a kívánt leválasztott film elemeit, felváltva adszorbeálódik a hordozó felületén, egyszerre csak egy prekurzorral, egymástól függetlenül. Mindegyik prekurzor telíti a szubsztrátum felületét, így monoréteget képez. A prekurzor az alábbi ábrán látható.

Tisztítás, más néven tisztítás. Közös öblítőgáz, öblítőgáz.Atomréteg-lerakódásegy eljárás vékony filmek atomi rétegekben történő lerakására oly módon, hogy két vagy több reagenst egymás után helyeznek egy reakciókamrába, hogy az egyes reagensek bomlása és adszorpciója révén vékony filmet képezzenek. Ez azt jelenti, hogy az első reakciógázt impulzusos módon vezetik be, hogy kémiailag lerakódjanak a kamrában, és a fizikailag kötött visszamaradó első reakciógázt öblítéssel távolítják el. Ezután a második reakciógáz részben az impulzus- és öblítési folyamaton keresztül kémiai kötést is képez az első reakciógázzal, és ezáltal a kívánt filmet lerakja a hordozóra. A tisztítás az alábbi ábrán látható.

Ciklus. Az atomi réteges leválasztási folyamatban az egyes reakciógázok egyszeri impulzusának és öblítésének idejét ciklusnak nevezzük.

Atomréteg epitaxia.Egy másik kifejezés az atomi réteges lerakódásra.

Trimetil-alumínium, rövidítve TMA, trimetil-alumínium. Az atomi réteges leválasztás során a TMA-t gyakran használják az Al2O3 prekurzoraként. Általában a TMA és a H2O alkot Al2O3-at. Ezenkívül a TMA és az O3 alkot Al2O3-at. Az alábbi ábra az Al2O3 atomi réteges lerakódás sematikus diagramja, TMA és H2O prekurzorok felhasználásával.

3-Aminopropil-trietoxi-szilán, amelyet APTES-nek neveznek, 3-aminopropil-trimetoxi-szilán. Ban benatomi réteglerakódás, az APTES-t gyakran használják előanyagként SiO2 képzéséhez. Normális esetben az APTES, az O3 és a H2O alkotja a SiO2-t. Az alábbi ábra az APTES sematikus diagramja.