itthon > Termékek > Szilícium-karbid bevonat > MOCVD technológia > SiC bevonat fedőszegmensek
SiC bevonat fedőszegmensek
  • SiC bevonat fedőszegmensekSiC bevonat fedőszegmensek

SiC bevonat fedőszegmensek

A Vetek Semiconductor elkötelezett a CVD SiC bevonat és a CVD TaC bevonat fejlesztése és kereskedelmi forgalomba hozatala iránt. Szemléltetésképpen a SiC Coating Cover szegmenseink aprólékos feldolgozáson esnek át, ami rendkívüli pontossággal sűrű CVD SiC bevonatot eredményez. Figyelemreméltóan ellenáll a magas hőmérsékletnek, és erős védelmet nyújt a korrózió ellen. Várjuk érdeklődését.

Kérdés küldése

termékleírás

Biztos lehet benne, hogy SiC Coating Cover szegmenseket vásárol gyárunkból.

A mikro-LED-technológia megbontja a meglévő LED-ökoszisztémát olyan módszerekkel és megközelítésekkel, amelyek eddig csak az LCD- vagy félvezetőiparban voltak láthatóak. Az Aixtron G5 MOCVD rendszer tökéletesen támogatja ezeket a szigorú kiterjesztési követelményeket. Ez egy nagy teljesítményű MOCVD reaktor, amelyet elsősorban szilícium alapú GaN epitaxiás növekedésre terveztek.

Az Aixtron G5 egy vízszintes Planetary Disk epitaxy rendszer, amely főként olyan komponensekből áll, mint a CVD SiC bevonat bolygótárcsa, MOCVD szuszceptor, SiC bevonat szegmensek, SiC bevonat fedőgyűrű, SiC bevonat mennyezet, SiC bevonat tartógyűrű, SiC bevonat fedőtárcsa, SiC bevonatú kipufogó kollektor, csap alátét, kollektor bemeneti gyűrű stb.

CVD SiC bevonatgyártóként a VeTek Semiconductor Aixtron G5 SiC bevonatburkolati szegmenseket kínál. Ezek a szuszceptorok nagy tisztaságú grafitból készülnek, és CVD SiC bevonattal rendelkeznek, 5 ppm alatti szennyeződéssel.

A CVD SiC Coating Cover Segments termékek kiváló korrózióállóságot, kiváló hővezető képességet és magas hőmérsékleti stabilitást mutatnak. Ezek a termékek hatékonyan ellenállnak a kémiai korróziónak és oxidációnak, biztosítva a tartósságot és a stabilitást zord környezetben. A kiemelkedő hővezető képesség hatékony hőátadást tesz lehetővé, növelve a hőkezelés hatékonyságát. Magas hőmérsékleti stabilitásukkal és hősokkállóságukkal a CVD SiC bevonatok ellenállnak az extrém körülményeknek. Megakadályozzák a grafit szubsztrátum feloldódását és oxidációját, csökkentik a szennyeződést és javítják a termelés hatékonyságát és a termék minőségét. A lapos és egyenletes bevonatfelület szilárd alapot biztosít a film növekedéséhez, minimálisra csökkenti a rácshibák által okozott hibákat, és javítja a film kristályosságát és minőségét. Összefoglalva, a CVD SiC bevonatú grafittermékek megbízható anyagmegoldásokat kínálnak különféle ipari alkalmazásokhoz, ötvözve a kivételes korrózióállóságot, hővezető képességet és magas hőmérsékleti stabilitást.


A CVD SiC bevonat alapvető fizikai tulajdonságai:

A CVD SiC bevonat alapvető fizikai tulajdonságai
Ingatlan Tipikus érték
Kristályos szerkezet FCC β fázisú polikristályos, főleg (111) orientált
Sűrűség 3,21 g/cm³
Keménység 2500 Vickers keménység (500 g terhelés)
Szemcseméret 2~10μm
Kémiai tisztaság 99,99995%
Hőkapacitás 640 J·kg-1·K-1
Szublimációs hőmérséklet 2700 ℃
Hajlító szilárdság 415 MPa RT 4 pontos
Young's Modulus 430 Gpa 4pt kanyar, 1300 ℃
Hővezető 300W·m-1·K-1
Hőtágulás (CTE) 4,5×10-6K-1


Ipari lánc:


Gyártóüzlet


Hot Tags: SiC bevonat szegmensek, Kína, gyártó, szállító, gyári, testreszabott, vásárlás, fejlett, tartós, Kínában gyártott
Kapcsolódó kategória
Kérdés küldése
Kérdését az alábbi űrlapon adja meg. 24 órán belül válaszolunk.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept