SiC konzolos lapát

A VeTek Semiconductor SiC konzolos lapátja nagyon nagy teljesítményű termék. A SiC konzolos lapátunkat általában hőkezelő kemencékben használják szilícium lapkák kezelésére és alátámasztására, kémiai gőzleválasztásra (CVD) és más feldolgozási folyamatokra a félvezető gyártási folyamatokban. A SiC anyag magas hőmérsékleti stabilitása és magas hővezető képessége nagy hatékonyságot és megbízhatóságot biztosít a félvezető feldolgozási folyamatban. Elkötelezettek vagyunk amellett, hogy kiváló minőségű termékeket kínáljunk versenyképes áron, és már nagyon várjuk, hogy hosszú távú partnerei lehessünk Kínában.

Kérdés küldése

termékleírás

Üdvözöljük, hogy jöjjön a Vetek Semiconductor gyárunkba, hogy megvásárolja a legújabb eladási, alacsony árú és kiváló minőségű SiC konzolos lapátot. Bízunk benne, hogy együttműködünk Önnel.

A VeTek Semiconductor SiC konzolos lapát jellemzői:

Magas hőmérsékleti stabilitás: Képes megőrizni alakját és szerkezetét magas hőmérsékleten, alkalmas magas hőmérsékletű feldolgozási folyamatokhoz.

Korrózióállóság: Kiváló korrózióállóság különféle vegyi anyagokkal és gázokkal szemben.

Nagy szilárdság és merevség: Megbízható alátámasztást biztosít a deformáció és a károsodás megelőzésére.

A VeTek Semiconductor SiC konzolos lapát előnyei:

Nagy pontosság: A nagy feldolgozási pontosság biztosítja a stabil működést az automatizált berendezésekben.

Alacsony szennyeződés: A nagy tisztaságú SiC anyag csökkenti a szennyeződés kockázatát, ami különösen fontos az ultratiszta gyártási környezetekben.

Magas mechanikai tulajdonságok: képes ellenállni a zord munkakörnyezetnek, magas hőmérsékletnek és nagy nyomásnak.

A SiC konzolos lapát speciális alkalmazásai és alkalmazási elve

Szilícium lapka kezelése a félvezetőgyártásban:

A SiC konzolos lapátot főként szilíciumlapátok kezelésére és alátámasztására használják a félvezetőgyártás során. Ezek a folyamatok általában tisztítást, maratást, bevonatot és hőkezelést foglalnak magukban. Alkalmazási elv:

Szilícium lapka kezelése: A SiC konzolos lapátot a szilícium lapkák biztonságos rögzítésére és mozgatására tervezték. A magas hőmérsékletű és kémiai kezelési folyamatok során a SiC anyag nagy keménysége és szilárdsága biztosítja, hogy a szilícium lapka ne sérüljön vagy deformálódjon.

Kémiai gőzfázisú leválasztás (CVD) eljárás:

A CVD-eljárás során a SiC konzolos lapátot szilícium ostyák szállítására használják, így vékony filmrétegek rakhatók le azok felületére. Alkalmazási elv:

A CVD eljárásban a SiC konzolos lapát segítségével rögzítik a szilícium lapátot a reakciókamrában, és a gáznemű prekurzor magas hőmérsékleten lebomlik, és vékony filmet képez a szilícium lapka felületén. A SiC anyag kémiai korrózióállósága stabil működést biztosít magas hőmérsékleten és kémiai környezetben.

A SiC konzolos lapát termékparamétere

Az újrakristályosított szilícium-karbid fizikai tulajdonságai
Ingatlan	Tipikus érték
Üzemi hőmérséklet (°C)	1600°C (oxigénnel), 1700°C (redukáló környezet)
SiC tartalom	> 99,96%
Ingyenes Si tartalom	< 0,1%
Testsűrűség	2,60-2,70 g/cm3
Látszólagos porozitás	< 16%
Nyomószilárdság	> 600 MPa
Hideg hajlítószilárdság	80-90 MPa (20°C)
Meleg hajlítószilárdság	90-100 MPa (1400°C)
Hőtágulás 1500°C-on	4,70 10-6/°C
Hővezetőképesség @1200°C	23 W/m•K
Rugalmassági modulus	240 GPa
Hőütésállóság	Rendkívül jó