Aixtron G5 MOCVD szuszceptorok

A VeTek Semiconductor egy vezető Aixtron G5 MOCVD szuszceptor gyártó és innovátor Kínában. Sok éven át a SiC bevonóanyagokra specializálódtunk. Ez az Aixtron G5 MOCVD Susceptors készlet sokoldalú és hatékony megoldás a félvezetőgyártáshoz optimális méretével, kompatibilitásával és nagy termelékenységével. Üdvözöljük, érdeklődjön tőlünk.

Kérdés küldése

termékleírás

Professzionális gyártóként a VeTek Semiconductor olyan Aixtron G5 MOCVD szuszceptorokat szeretne kínálni Önnek, mint Axtron epitaxia, SiC bevonattalgrafit alkatrészek és TaC bevonattalgrafit alkatrészek. Üdvözöljük érdeklődni tőlünk.

Az Aixtron G5 egy leválasztó rendszer összetett félvezetők számára. Az AIX G5 MOCVD a gyártás során bevált AIXTRON planetáris reaktor platformot használ teljesen automatizált patronos (C2C) szeletátviteli rendszerrel. Elérte az iparág legnagyobb egyedi üregméretét (8 x 6 hüvelyk) és a legnagyobb gyártási kapacitást. Rugalmas 6 és 4 hüvelykes konfigurációkat kínál, amelyek minimalizálják a gyártási költségeket, miközben megőrzik a kiváló termékminőséget. A melegfalú planetáris CVD rendszert több lemez növekedése jellemzi egyetlen kemencében, és a kimeneti hatékonyság magas.

A VeTek Semiconductor a tartozékok teljes készletét kínálja az Aixtron G5 MOCVD Susceptor rendszerhez, amely a következő tartozékokból áll:

Tolóerő, forgásgátló	Elosztó gyűrű	Mennyezet	Tartó, mennyezet, szigetelt	Fedőlemez, külső
Fedőlemez, belső	Fedőgyűrű	Lemez	Lehúzható fedőlemez	Pin
Csap-alátét	Bolygólemez	Kollektor bemeneti gyűrű rés	Kipufogó kollektor felső	Redőny
Támasztógyűrű	Támasztócső

Aixtron G5 MOCVD Susceptor

CVD SiC film kristályszerkezet:

CVD SIC FILM CRASTAL STRUCTURE

A CVD SiC bevonat alapvető fizikai tulajdonságai:

A CVD SiC bevonat alapvető fizikai tulajdonságai
Ingatlan	Tipikus érték
Kristályszerkezet	FCC β fázisú polikristályos, főleg (111) orientált
Sűrűség	3,21 g/cm³
Keménység	2500 Vickers keménység (500g terhelés)
szemcseméret	2~10μm
Kémiai tisztaság	99,99995%
Hőkapacitás	640 J·kg^-1·K^-1
Szublimációs hőmérséklet	2700 ℃
Hajlító szilárdság	415 MPa RT 4 pontos
Young's Modulus	430 Gpa 4pt kanyar, 1300 ℃
Hővezetőképesség	300W·m^-1·K^-1
Hőtágulás (CTE)	4,5×10^-6·K^-1