Aixtron G5 MOCVD szuszceptorok

A VeTek Semiconductor az egyik vezető Aixtron G5 MOCVD szuszceptor gyártó és innovátor Kínában. Sok éve foglalkozunk SiC bevonatanyagokkal. Kifejezetten az Aixtron G5 MOCVD reaktorhoz tervezett Aixtron G5 MOCVD szuszceptorokat kínálunk. Ez az Aixtron G5 MOCVD Susceptors készlet egy sokoldalú és hatékony megoldás a félvezetőgyártáshoz optimális méretével, kompatibilitásával és nagy termelékenységével. Üdvözöljük, érdeklődjön tőlünk.

Kérdés küldése

termékleírás

Professzionális gyártóként a VeTek Semiconductor olyan Aixtron G5 MOCVD szuszceptorokat szeretne kínálni Önnek, mint a SiC bevonatú grafit alkatrészek, TaC bevonatú grafit alkatrészek, szilárd SiC/CVD SiC, kvarc alkatrészek. Üdvözöljük, érdeklődjön tőlünk.

Az Aixtron G5 egy leválasztó rendszer összetett félvezetők számára. Az AIX G5 MOCVD a gyártás során bevált AIXTRON planetáris reaktor platformot használ teljesen automatizált patronos (C2C) szeletátviteli rendszerrel. Elérte az iparág legnagyobb egyedi üregméretét (8 x 6 hüvelyk) és a legnagyobb gyártási kapacitást. Rugalmas 6 és 4 hüvelykes konfigurációkat kínál, amelyek minimalizálják a gyártási költségeket, miközben megőrzik a kiváló termékminőséget. A melegfalú planetáris CVD rendszert több lemez növekedése jellemzi egyetlen kemencében, és a kimeneti hatékonyság magas. A VeTek Semiconductor teljes tartozékkészletet kínál az Aixtron G5 MOCVD rendszerhez, az Aixtron G5 MOCVD Susceptors a következő tartozékokból áll:

Tolóerő, forgásgátló	Elosztó gyűrű	Mennyezet	Tartós, mennyezeti, szigetelt	Fedőlemez, külső
Fedőlemez, belső	Fedőgyűrű	Lemez	Lehúzható fedőlemez	Pin
Csap-alátét	Bolygólemez	Kollektor bemeneti gyűrűrés	Kipufogó kollektor felső	Redőny
Támasztógyűrű	Támasztócső

Aixtron G5,EPI susceptor,MOCVD susceptor

A CVD SiC bevonat alapvető fizikai tulajdonságai:

A CVD SiC bevonat alapvető fizikai tulajdonságai
Ingatlan	Tipikus érték
Kristályos szerkezet	FCC β fázisú polikristályos, főleg (111) orientált
Sűrűség	3,21 g/cm³
Keménység	2500 Vickers keménység (500 g terhelés)
Szemcseméret	2~10μm
Kémiai tisztaság	99,99995%
Hőkapacitás	640 J·kg-1·K-1
Szublimációs hőmérséklet	2700 ℃
Hajlító szilárdság	415 MPa RT 4 pontos
Young's Modulus	430 Gpa 4pt kanyar, 1300 ℃
Hővezető	300W·m-1·K-1
Hőtágulás (CTE)	4,5×10-6K-1