Ultra tiszta grafit alsó félhold

A VeTek Semiconductor a személyre szabott Ultra Pure Graphite Lower Halfmoon vezető szállítója Kínában, sok éve a fejlett anyagokra szakosodott. Az Ultra Pure Graphite Lower Halfmoonunkat kifejezetten SiC epitaxiális berendezésekhez tervezték, kiváló teljesítményt biztosítva. Ultratiszta import grafitból készült, így megbízható és tartós. Látogasson el kínai gyárunkba, hogy első kézből fedezze fel kiváló minőségű Ultra Pure Graphite Lower Halfmoon termékünket.

Kérdés küldése

termékleírás

A VeTek Semiconductor egy professzionális gyártó, amely az Ultra Pure Graphite Lower Halfmoon biztosítására törekszik. Az Ultra Pure Graphite Lower Halfmoon termékeinket kifejezetten SiC epitaxiális kamrákhoz tervezték, és kiváló teljesítményt és kompatibilitást kínálnak a különféle berendezésmodellekkel.

Jellemzők:

Csatlakozás: A VeTek Semiconductor Ultra Pure Graphite Lower Halfmoon kvarccsövekhez való csatlakozásra szolgál, megkönnyítve a gázáramlást a hordozó alap forgásának meghajtásához.

Hőmérsékletszabályozás: A termék lehetővé teszi a hőmérséklet szabályozását, optimális körülményeket biztosítva a reakciókamrában.

Érintésmentes kialakítás: A reakciókamrába szerelve az Ultra Pure Graphite Lower Halfmoon nem érintkezik közvetlenül az ostyákkal, így biztosítva a folyamat integritását.

Alkalmazási forgatókönyv:

Ultra Pure Graphite Lower Halfmoonunk kritikus komponensként szolgál a SiC epitaxiális kamrákban, ahol segít 5 ppm alatt tartani a szennyeződés tartalmát. Az olyan paraméterek, mint a vastagság és az adalékanyag-koncentráció egyenletességének szoros figyelemmel kísérésével biztosítjuk a legjobb minőségű epitaxiális rétegeket.

Kompatibilitás:

A VeTek Semiconductor Ultra Pure Graphite Lower Halfmoon berendezési modellek széles skálájával kompatibilis, beleértve az LPE-t, a NAURA-t, a JSG-t, a CETC-t, a NASO TECH-et és így tovább.

Meghívjuk Önt, hogy látogassa meg kínai gyárunkat, hogy első kézből fedezze fel kiváló minőségű Ultra Pure Graphite Lower Halfmoon termékünket.

A CVD SiC bevonat alapvető fizikai tulajdonságai:

A CVD SiC bevonat alapvető fizikai tulajdonságai
Ingatlan	Tipikus érték
Kristályos szerkezet	FCC β fázisú polikristályos, főleg (111) orientált
Sűrűség	3,21 g/cm³
Keménység	2500 Vickers keménység (500 g terhelés)
Szemcseméret	2~10μm
Kémiai tisztaság	99,99995%
Hőkapacitás	640 J·kg-1·K-1
Szublimációs hőmérséklet	2700 ℃
Hajlító szilárdság	415 MPa RT 4 pontos
Young's Modulus	430 Gpa 4pt kanyar, 1300 ℃
Hővezető	300W·m-1·K-1
Hőtágulás (CTE)	4,5×10-6K-1