GaN epitaxiális grafit szuszceptor a G5-höz

A VeTek Semiconductor egy professzionális gyártó és beszállító, amely kiváló minőségű GaN epitaxiális grafit szuszceptort biztosít a G5 számára. hosszú távú és stabil partneri kapcsolatokat alakítottunk ki számos ismert hazai és külföldi céggel, kivívva ügyfeleink bizalmát és tiszteletét.

Kérdés küldése

termékleírás

A VeTek Semiconductor egy professzionális kínai GaN epitaxiális grafit szuszceptor a G5 gyártóhoz és szállítóhoz. A GaN epitaxiális grafit szuszceptor a G5-höz az Aixtron G5 fém-szerves kémiai gőzleválasztási (MOCVD) rendszer kritikus komponense a kiváló minőségű gallium-nitrid (GaN) vékonyrétegek növekedéséhez, és döntő szerepet játszik az egyenletes hőmérséklet biztosításában. eloszlás, hatékony hőátadás és minimális szennyeződés a növekedési folyamat során.

A VeTek Semiconductor GaN epitaxiális grafit szuszceptor főbb jellemzői a G5-höz:

-Nagy tisztaságú: A szuszceptor nagy tisztaságú grafitból készül, CVD bevonattal, minimálisra csökkentve a növekvő GaN filmek szennyeződését.

-Kiváló hővezető képesség: A grafit magas hővezető képessége (150-300 W/(m·K)) egyenletes hőmérsékleteloszlást biztosít a szuszceptorban, ami egyenletes GaN filmnövekedést eredményez.

- Alacsony hőtágulás: A szuszceptor alacsony hőtágulási együtthatója minimálisra csökkenti a hőfeszültséget és a repedést a magas hőmérsékletű növekedési folyamat során.

-Kémiai közömbösség: A grafit kémiailag inert, és nem lép reakcióba a GaN prekurzorokkal, megakadályozva a nem kívánt szennyeződéseket a kinőtt filmekben.

- Kompatibilitás az Aixtron G5-tel: A szuszceptort kifejezetten az Aixtron G5 MOCVD rendszerben való használatra tervezték, biztosítva a megfelelő illeszkedést és funkcionalitást.

Alkalmazások:

Nagy fényerejű LED-ek: A GaN-alapú LED-ek nagy hatékonyságot és hosszú élettartamot kínálnak, így ideálisak általános világításhoz, autóvilágításhoz és kijelző alkalmazásokhoz.

Nagy teljesítményű tranzisztorok: A GaN tranzisztorok kiváló teljesítményt nyújtanak a teljesítménysűrűség, a hatásfok és a kapcsolási sebesség tekintetében, így alkalmasak teljesítményelektronikai alkalmazásokhoz.

Lézerdiódák: A GaN-alapú lézerdiódák nagy hatékonyságot és rövid hullámhosszakat kínálnak, így ideálisak optikai tárolási és kommunikációs alkalmazásokhoz.

A GaN epitaxiális grafit szuszceptor termékparamétere a G5-höz

Izosztatikus grafit fizikai tulajdonságai
Ingatlan	Mértékegység	Tipikus érték
Testsűrűség	g/cm³	1.83
Keménység	HSD	58
Elektromos ellenállás	mΩ.m	10
Hajlító szilárdság	MPa	47
Nyomószilárdság	MPa	103
Szakítószilárdság	MPa	31
Young's Modulus	GPa	11.8
Hőtágulás (CTE)	10-6K-1	4.6
Hővezető	W·m-1·K-1	130
Átlagos szemcseméret	μm	8-10
Porozitás	%	10
Ash tartalom	ppm	≤10 (tisztítás után)

Megjegyzés: Bevonás előtt az első tisztítást, a bevonat után a második tisztítást végezzük.

A CVD SiC bevonat alapvető fizikai tulajdonságai
Ingatlan	Tipikus érték
Kristályos szerkezet	FCC β fázisú polikristályos, főleg (111) orientált
Sűrűség	3,21 g/cm³
Keménység	2500 Vickers keménység (500 g terhelés)
Szemcseméret	2~10μm
Kémiai tisztaság	99,99995%
Hőkapacitás	640 J·kg-1·K-1
Szublimációs hőmérséklet	2700 ℃
Hajlító szilárdság	415 MPa RT 4 pontos
Young's Modulus	430 Gpa 4pt kanyar, 1300 ℃
Hővezető	300W·m-1·K-1
Hőtágulás (CTE)	4,5×10-6K-1