MOCVD szuszceptor TaC bevonattal

A VeTek Semiconductor egy átfogó beszállító, amely a TaC bevonatok és SiC bevonat alkatrészek kutatásában, fejlesztésében, gyártásában, tervezésében és értékesítésében vesz részt. Szakértelmünk a legmodernebb, TaC bevonattal ellátott MOCVD szuszceptor gyártásában rejlik, amelyek létfontosságú szerepet játszanak a LED-epitaxiás folyamatban. Szeretettel várjuk, hogy megvitassák velünk kérdéseiket és további információkat.

Kérdés küldése

termékleírás

A VeTek Semiconductor egy vezető kínai gyártó, beszállító és exportőr, amely a TaC bevonattal ellátott MOCVD szuszceptorokra szakosodott. Üdvözöljük gyárunkban, hogy megvásárolja a legújabb eladási, alacsony árú és kiváló minőségű MOCVD szuszceptorokat TaC bevonattal. Bízunk benne, hogy együttműködünk Önnel.

A LED-epitaxia olyan kihívásokkal néz szembe, mint a kristályminőség-ellenőrzés, az anyagválasztás és -illesztés, a szerkezeti tervezés és optimalizálás, a folyamatirányítás és a konzisztencia, valamint a fényelvonási hatékonyság. A megfelelő epitaxiás ostyahordozó anyag kiválasztása döntő jelentőségű, és a tantál-karbid (TaC) vékonyréteggel (TaC bevonat) történő bevonása további előnyökkel jár.

Az epitaxiás ostya hordozóanyagának kiválasztásakor számos kulcsfontosságú tényezőt kell figyelembe venni:

Hőmérséklet-tolerancia és kémiai stabilitás: A LED-es epitaxiás folyamatok magas hőmérséklettel járnak, és vegyi anyagokat is alkalmazhatnak. Ezért jó hőmérséklettűrő és kémiai stabilitású anyagokat kell választani, hogy biztosítsuk a hordozó stabilitását magas hőmérsékletű és kémiai környezetben.

Felületi síkság és kopásállóság: Az epitaxia ostya hordozó felületének jó síkságúnak kell lennie az egyenletes érintkezés és az epitaxiás ostya stabil növekedése érdekében. Ezenkívül a kopásállóság fontos a felületi sérülések és a kopás elkerülése érdekében.

Hővezetőképesség: A jó hővezető képességű anyag kiválasztása segít a hő hatékony elvezetésében, fenntartja az epitaxiaréteg stabil növekedési hőmérsékletét, és javítja a folyamat stabilitását és konzisztenciáját.

Ebben a tekintetben az epitaxiás ostyahordozó TaC bevonása a következő előnyökkel jár:

Stabilitás magas hőmérsékleten: A TaC bevonat kiváló magas hőmérsékleti stabilitást mutat, lehetővé téve, hogy megőrizze szerkezetét és teljesítményét a magas hőmérsékletű epitaxiás folyamatok során, és kiváló hőmérséklet-tűrést biztosít.

Kémiai stabilitás: A TaC bevonat ellenáll a közönséges vegyszerek és atmoszféra okozta korróziónak, védi a hordozót a kémiai lebomlástól és növeli a tartósságát.

Keménység és kopásállóság: A TaC bevonat nagy keménységgel és kopásállósággal rendelkezik, megerősíti az epitaxiás ostyahordozó felületét, csökkenti a sérüléseket és a kopást, valamint meghosszabbítja élettartamát.

Hővezető képesség: A TaC bevonat jó hővezető képességgel rendelkezik, elősegíti a hőelvezetést, fenntartja az epitaxiás réteg stabil növekedési hőmérsékletét, és javítja a folyamat stabilitását és konzisztenciáját.

Ezért a TaC bevonattal ellátott epitaxiás lapkahordozó kiválasztása segít megbirkózni a LED-es epitaxia kihívásaival, és megfelel a magas hőmérsékletű és kémiai környezet követelményeinek. Ez a bevonat olyan előnyöket kínál, mint a magas hőmérsékleti stabilitás, a kémiai stabilitás, a keménység és a kopásállóság, valamint a hővezető képesség, hozzájárulva az epitaxiás ostyahordozó jobb teljesítményéhez, élettartamához és gyártási hatékonyságához.

A TaC bevonat alapvető fizikai tulajdonságai:

A TaC bevonat fizikai tulajdonságai
Sűrűség	14,3 (g/cm³)
Fajlagos emissziós tényező	0.3
Hőtágulási együttható	6,3 10-6/K
Keménység (HK)	2000 HK
Ellenállás	1×10-5 Ohm*cm
Hőstabilitás	<2500 ℃
A grafit mérete megváltozik	-10-20um
Bevonat vastagsága	≥20um tipikus érték (35um±10um)