Ismeri a MOCVD Susceptort?

A fém-szerves kémiai gőzleválasztási (MOCVD) eljárásban a szuceptor kulcsfontosságú komponens, amely felelős az ostya alátámasztásáért, valamint a leválasztási folyamat egységességének és pontos szabályozásának biztosításáért. Anyagválasztása és termékjellemzői közvetlenül befolyásolják az epitaxiális folyamat stabilitását és a termék minőségét.

MOCVD elfogadó(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition) a félvezetőgyártás kulcsfontosságú folyamateleme. Főleg a MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition) eljárásban használják az ostya alátámasztására és melegítésére vékonyréteg-leválasztáshoz. A szuceptor kialakítása és anyagválasztása döntő fontosságú a végtermék egységessége, hatékonysága és minősége szempontjából.

Terméktípus és anyagválasztás:

A MOCVD Susceptor tervezése és anyagválasztása változatos, általában az eljárás követelményei és a reakciókörülmények határozzák meg.Az alábbiakban a leggyakoribb terméktípusokat és azok anyagait ismertetjük:

SiC bevonatú szuszceptor(Szilícium-karbid bevonatú szuszceptor):

Leírás: Szuszceptor SiC bevonattal, grafittal vagy más magas hőmérsékletű anyagokkal hordozóként, valamint CVD SiC bevonattal (CVD SiC Coating) a felületen a kopásállóság és a korrózióállóság javítása érdekében.

Alkalmazás: Széles körben használják a MOCVD folyamatokban magas hőmérsékleten és erősen korrozív gázkörnyezetben, különösen szilícium epitaxiában és összetett félvezető leválasztásban.

TaC bevonatú szuszceptor:

Leírás: A TaC bevonattal (CVD TaC Coating) mint fő anyaggal ellátott szuszceptor rendkívül nagy keménységgel és kémiai stabilitással rendelkezik, és rendkívül korrozív környezetben is használható.

Alkalmazás: Olyan MOCVD eljárásokban használják, amelyek nagyobb korrózióállóságot és mechanikai szilárdságot igényelnek, mint például gallium-nitrid (GaN) és gallium-arzenid (GaAs) leválasztása.

Szilícium-karbid bevonatú grafit szuszceptor MOCVD-hez:

Leírás: Az aljzat grafit, és a felületet CVD SiC bevonat borítja, hogy biztosítsa a stabilitást és a hosszú élettartamot magas hőmérsékleten.

Alkalmazás: Alkalmas olyan berendezésekben, mint az Aixtron MOCVD reaktorok kiváló minőségű összetett félvezető anyagok gyártásához.

EPI-receptor (epitaxia-receptor):

Leírás: Kifejezetten epitaxiális növekedési folyamathoz tervezett szuszceptor, általában SiC bevonattal vagy TaC bevonattal a hővezető képesség és a tartósság növelése érdekében.

Alkalmazása: Szilícium epitaxiában és összetett félvezető epitaxiában az ostyák egyenletes melegítésének és lerakásának biztosítására használják.

A MOCVD szuszceptor fő szerepe a félvezető feldolgozásban:

Ostyatámasz és egyenletes fűtés:

Funkció: A szuszceptor az ostyák támogatására szolgál MOCVD reaktorokban, és egyenletes hőeloszlást biztosít indukciós melegítéssel vagy más módszerekkel az egyenletes filmlerakódás biztosítása érdekében.

Hővezetés és stabilitás:

Funkció: A Susceptor anyagok hővezető képessége és hőstabilitása kulcsfontosságú. A SiC bevonatú szuszceptor és a TaC bevonatú szuszceptor magas hővezető képességüknek és magas hőmérsékleti ellenállásuknak köszönhetően megőrizheti stabilitását a magas hőmérsékletű folyamatokban, elkerülve az egyenetlen hőmérséklet okozta filmhibákat.

Korrózióállóság és hosszú élettartam:

Funkció: A MOCVD folyamat során a szuszceptort különféle kémiai prekurzor gázoknak teszik ki. A SiC bevonat és a TaC bevonat kiváló korrózióállóságot biztosít, csökkenti az anyag felülete és a reakciógáz közötti kölcsönhatást, és meghosszabbítja a Susceptor élettartamát.

A reakciókörnyezet optimalizálása:

Funkció: A kiváló minőségű szuszceptorok használatával a MOCVD reaktor gázáramlási és hőmérsékleti mezője optimalizálva van, biztosítva az egyenletes filmlerakódási folyamatot, és javítva az eszköz hozamát és teljesítményét. Általában a MOCVD reaktorok szuszceptoraiban és az Aixtron MOCVD berendezésekben használják.

A termék jellemzői és műszaki előnyei：

Magas hővezetőképesség és hőstabilitás:

Jellemzők: A SiC és TaC bevonatú szuszceptorok rendkívül magas hővezető képességgel rendelkeznek, gyorsan és egyenletesen elosztják a hőt, és magas hőmérsékleten is megőrzik szerkezeti stabilitásukat, hogy biztosítsák az ostyák egyenletes melegítését.

Előnyök: Alkalmas olyan MOCVD eljárásokhoz, amelyek precíz hőmérséklet-szabályozást igényelnek, mint például összetett félvezetők, például gallium-nitrid (GaN) és gallium-arzenid (GaAs) epitaxiális növekedése.

Kiváló korrózióállóság:

Jellemzők: A CVD SiC Coating és a CVD TaC Coating rendkívül magas kémiai tehetetlenséggel rendelkezik, és ellenáll az erősen korrozív gázok, például kloridok és fluoridok korróziójának, megvédve a Susceptor szubsztrátját a sérülésektől.

Előnyök: Meghosszabbítja a szuszceptor élettartamát, csökkenti a karbantartási gyakoriságot és javítja a MOCVD folyamat általános hatékonyságát.

Magas mechanikai szilárdság és keménység:

Jellemzők: A SiC és TaC bevonatok nagy keménysége és mechanikai szilárdsága lehetővé teszi, hogy a Susceptor ellenálljon a mechanikai igénybevételnek magas hőmérsékletű és nagy nyomású környezetben, és megőrizze a hosszú távú stabilitást és pontosságot.

Előnyök: Különösen alkalmas nagy pontosságot igénylő félvezető-gyártási eljárásokhoz, mint például epitaxiális növekedés és kémiai gőzleválasztás.

Piaci alkalmazás és fejlesztési kilátások

MOCVD szuszceptorokszéles körben használják nagy fényerejű LED-ek, teljesítményelektronikai eszközök (például GaN-alapú HEMT-k), napelemek és egyéb optoelektronikai eszközök gyártásában. A nagyobb teljesítményű és alacsonyabb energiafogyasztású félvezető eszközök iránti kereslet növekedésével a MOCVD technológia továbbra is fejlődik, és innovációt hajt a Susceptor anyagok és konstrukciók terén. Például nagyobb tisztaságú és kisebb hibasűrűségű SiC bevonat technológia fejlesztése, valamint a Susceptor szerkezeti kialakításának optimalizálása a nagyobb lapkákhoz és a bonyolultabb többrétegű epitaxiális folyamatokhoz való alkalmazkodás érdekében.

A VeTek Semiconductor Technology Co., LTD a fejlett bevonóanyagok vezető szállítója a félvezetőipar számára. cégünk az iparág legmodernebb megoldásainak fejlesztésére összpontosít.

Fő termékkínálatunk a CVD szilícium-karbid (SiC) bevonatok, tantál-karbid (TaC) bevonatok, ömlesztett SiC, SiC porok és nagy tisztaságú SiC anyagok, SiC bevonatú grafit szuszceptor, előmelegítő gyűrűk, TaC bevonatú terelőgyűrű, félhold alkatrészek stb. ., a tisztaság 5 ppm alatt van, megfelel az ügyfelek igényeinek.

A VeTek félvezető az élvonalbeli technológiai és termékfejlesztési megoldások fejlesztésére összpontosít a félvezetőipar számára. Őszintén reméljük, hogy hosszú távú partnere leszünk Kínában.