A félvezetőgyártó iparban, mivel az eszközök mérete folyamatosan csökken, a vékonyréteg-anyagok leválasztási technológiája soha nem látott kihívásokat jelentett. Az Atomic Layer Deposition (ALD), mint vékonyréteg-leválasztási technológia, amely precíz atomi szintű szabályozást képes elérni, a félvez......
Olvass továbbIdeális integrált áramkörök vagy félvezető eszközök tökéletes kristályos alaprétegre építeni. A félvezetőgyártás epitaxiás (epi) eljárásának célja egy finom, általában körülbelül 0,5-20 mikronos egykristályos réteg felvitele egy egykristályos hordozóra. Az epitaxiás eljárás fontos lépés a félvezető ......
Olvass továbbA fő különbség az epitaxiás és az atomréteg-lerakódás (ALD) között a filmnövekedési mechanizmusukban és működési körülményeikben rejlik. Az epitaxia azt a folyamatot jelenti, amelyben kristályos vékony filmet növesztünk kristályos szubsztrátumon, meghatározott orientációval, megtartva az azonos vagy......
Olvass továbbA CVD TAC bevonat egy hordozón (grafiton) sűrű és tartós bevonat kialakítására szolgáló eljárás. Ez a módszer magában foglalja a TaC lerakódását az aljzat felületére magas hőmérsékleten, ami kiváló hőstabilitású és vegyszerálló tantál-karbid (TaC) bevonatot eredményez.
Olvass tovább