- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Ipari hírek
Kínai cégek állítólag 5nm-es chipeket fejlesztenek a Broadcommal!
Tengerentúli hírek szerint június 24-én két forrás felfedte, hogy a ByteDance az amerikai Broadcom chiptervező céggel együttműködik egy olyan fejlett mesterséges intelligencia (AI) számítástechnikai processzor kifejlesztésén, amely segít a ByteDance-nek biztosítani a megfelelő csúcskategóriás chip-e......
Olvass tovább
Sanan Optoelectronics Co., Ltd.: A 8 hüvelykes SiC chipek gyártása decemberben várható!
A SiC iparág vezető gyártójaként a Sanan Optoelectronics kapcsolódó dinamikája széleskörű figyelmet kapott az iparágban. A közelmúltban a Sanan Optoelectronics egy sor legújabb fejlesztést hozott nyilvánosságra, amelyek magukban foglalják a 8 hüvelykes átalakítást, az új szubsztrátumgyári gyártást, ......
Olvass tovább
TaC bevonatú grafit alkatrészek alkalmazása egykristályos kemencékben
A SiC és AlN egykristályok fizikai gőztranszport (PVT) módszerrel történő növekedésében létfontosságú szerepet játszanak az olyan kulcsfontosságú alkatrészek, mint a tégely, a magtartó és a vezetőgyűrű. A 2. ábrán [1] látható módon a PVT folyamat során az oltókristály az alacsonyabb hőmérsékletű tar......
Olvass tovább
A SiC epitaxiális növesztő kemence különböző műszaki útjai
A szilícium-karbid szubsztrátumoknak sok hibája van, és nem lehet közvetlenül feldolgozni. Egy speciális egykristály vékony filmet kell rajtuk növeszteni epitaxiális eljárással, hogy chiplapokat készítsenek. Ez a vékony film az epitaxiális réteg. Szinte minden szilícium-karbid eszköz epitaxiális any......
Olvass tovább
Szilícium-karbid epitaxia anyaga
A szilícium-karbid epitaxiális réteg anyaga szilícium-karbid, amelyet általában nagy teljesítményű elektronikai eszközök és LED-ek gyártására használnak. Kiváló termikus stabilitása, mechanikai szilárdsága és nagy elektromos vezetőképessége miatt széles körben használják a félvezetőiparban.
Olvass tovább
