> hírek > Ipari hírek

Ipari hírek

A 3C SiC fejlődéstörténete

A folyamatos technológiai fejlődés és a mechanizmusok mélyreható kutatása révén a 3C-SiC heteroepitaxiális technológia várhatóan fontosabb szerepet fog játszani a félvezetőiparban, és elősegíti a nagy hatékonyságú elektronikai eszközök fejlesztését.

Olvass tovább

ALD atomi réteges leválasztás receptje

Térbeli ALD, térben izolált atomi réteges lerakódás. Az ostya különböző pozíciók között mozog, és minden pozícióban különböző prekurzoroknak van kitéve. Az alábbi ábra a hagyományos ALD és a térben elszigetelt ALD összehasonlítása.

Olvass tovább

A tantál-karbid technológia áttörése, a SiC epitaxiális szennyezés 75%-kal csökkent?

A közelmúltban a német Fraunhofer IISB kutatóintézet áttörést ért el a tantál-karbid bevonat-technológia kutatásában és fejlesztésében, és kifejlesztett egy olyan permetező bevonó megoldást, amely rugalmasabb és környezetbarátabb, mint a CVD leválasztási megoldás, és kereskedelmi forgalomba került.

Olvass tovább

3D nyomtatási technológia feltáró alkalmazása a félvezetőiparban

A gyors technológiai fejlődés korszakában a 3D nyomtatás, mint a fejlett gyártástechnológia fontos képviselője, fokozatosan megváltoztatja a hagyományos gyártás arculatát. A technológia folyamatos érettségével és a költségek csökkenésével a 3D nyomtatási technológia széles körű alkalmazási lehetőség......

Olvass tovább

Szilícium(Si) epitaxiás előkészítési technológia

Az egykristályos anyagok önmagukban nem tudják kielégíteni a különféle félvezető eszközök növekvő gyártásának igényeit. 1959 végén egy vékony rétegű egykristályos anyagnövekedési technológiát – epitaxiális növekedést – fejlesztettek ki.

Olvass tovább

8 hüvelykes szilícium-karbid egykristály növesztő kemence technológián alapul

A szilícium-karbid az egyik ideális anyag a magas hőmérsékletű, nagyfrekvenciás, nagy teljesítményű és nagyfeszültségű készülékek készítéséhez. A termelés hatékonyságának javítása és a költségek csökkentése érdekében fontos fejlesztési irány a nagyméretű szilícium-karbid hordozók előkészítése.

Olvass tovább

<...6 7 8 9 10 >