SiC bevonatú mély UV LED szuszceptor

A SiC bevonatú mély UV LED szuszceptor MOCVD folyamathoz készült, hogy támogassa a hatékony és stabil mély UV LED epitaxiális réteg növekedését. A VeTek Semiconductor a SiC bevonatú mély UV LED szuszceptor vezető gyártója és szállítója Kínában. Gazdag tapasztalattal rendelkezünk, és hosszú távú együttműködési kapcsolatokat építettünk ki számos LED-epitaxiális gyártóval. A LED-ekhez készült szuszceptor termékek vezető hazai gyártója vagyunk. Évekig tartó ellenőrzés után termékeink élettartama megegyezik a vezető nemzetközi gyártókéval. Várom érdeklődését.

Kérdés küldése

termékleírás

SiC bevonatú mély UV LED szuszceptor a mag csapágyalkatrészMOCVD (fém szerves kémiai gőzleválasztás) berendezés. A szuszceptor közvetlenül befolyásolja a mély UV LED epitaxiális növekedés egyenletességét, vastagságának szabályozását és anyagminőségét, különösen a magas alumíniumtartalmú alumínium-nitrid (AlN) epitaxiális réteg növekedésénél, a szuszceptor kialakítása és teljesítménye kulcsfontosságú.

A SiC bevonatú mély UV LED szuszceptor speciálisan a mély UV LED epitaxiához van optimalizálva, és pontosan a termikus, mechanikai és kémiai környezeti jellemzők alapján készült, hogy megfeleljen a szigorú folyamatkövetelményeknek.

A VeTek Semiconductor fejlett feldolgozási technológiát használ, hogy biztosítsa a szuszceptor egyenletes hőeloszlását az üzemi hőmérsékleti tartományon belül, elkerülve az epitaxiális réteg hőmérsékleti gradiens által okozott nem egyenletes növekedését. A precíziós feldolgozás szabályozza a felület érdességét, minimalizálja a részecskék szennyeződését, és javítja az ostya felületi érintkezésének hővezető képességét.

A VeTek Semiconductor SGL grafitot használ anyagként, és a felületet ezzel kezelikCVD SiC bevonat, amely hosszú ideig ellenáll az NH3-nak, a HCl-nek és a magas hőmérsékletű atmoszférának. A VeTek Semiconductor SiC bevonatú mély UV LED szuszceptorja megfelel az AlN/GaN epitaxiális lapkák hőtágulási együtthatójának, csökkentve a lapka vetemedését vagy repedését, amelyet a folyamat közbeni hőterhelés okoz.

A legfontosabb, hogy a VeTek Semiconductor SiC bevonatú mély UV LED szuszceptorja tökéletesen alkalmazkodik a mainstream MOCVD berendezésekhez (beleértve a Veeco K465i-t, EPIK 700-at, Aixtron Criust stb.). Támogatja a testreszabott szolgáltatásokat az ostya méretéhez (2–8 hüvelyk), az ostyanyílás kialakításához, a folyamat hőmérsékletéhez és egyéb követelményekhez.

Alkalmazási forgatókönyvek:

● Mély UV LED előkészítés: Alkalmazható a 260 nm alatti sávban lévő eszközök epitaxiális folyamatára (UV-C fertőtlenítés, sterilizálás és egyéb területek).

● Nitrid félvezető epitaxia: Félvezető anyagok, például gallium-nitrid (GaN) és alumínium-nitrid (AlN) epitaxiális előkészítésére használják.

● Kutatási szintű epitaxiális kísérletek: Mély UV epitaxia és új anyagfejlesztési kísérletek egyetemeken és kutatóintézetekben.

Egy erős technikai csapat támogatásával a VeTek Semiconductor egyedi specifikációjú és funkciójú szuszceptorokat tud kifejleszteni a vevői igényeknek megfelelően, specifikus gyártási folyamatokat támogat, és hosszú távú szolgáltatásokat nyújt.

A CVD SIC BEVONÓFÓLIA SEM ADATAI:

SEM DATA OF CVD SIC COATING FILM

A CVD SiC bevonat alapvető fizikai tulajdonságai:

A CVD SiC bevonat alapvető fizikai tulajdonságai
Ingatlan	Tipikus érték
Kristályszerkezet	FCC β fázisú polikristályos, főleg (111) orientált
SiC bevonat Sűrűség	3,21 g/cm³
CVD SiC bevonat Keménység	2500 Vickers keménység (500 g terhelés)
Szemcseméret	2~10μm
Kémiai tisztaság	99,99995%
Hőkapacitás	640 J·kg^-1·K^-1
Szublimációs hőmérséklet	2700 ℃
Hajlító szilárdság	415 MPa RT 4 pontos
Young's Modulus	430 Gpa 4pt kanyar, 1300 ℃
Hővezetőképesség	300W·m^-1·K^-1
Hőtágulás (CTE)	4,5×10^-6K^-1