A VeTek Semiconductor egy professzionális gyártó és beszállító, aki elkötelezett a kiváló minőségű ultratiszta szilícium-karbid por kristálynövekedéséhez. Akár 99,999 tömegszázalékos tisztaságú, valamint rendkívül alacsony nitrogén-, bór-, alumínium- és egyéb szennyezőanyagok szennyeződése miatt kifejezetten a nagy tisztaságú szilícium-karbid félszigetelő tulajdonságainak javítására készült. Üdvözöljük, érdeklődjön és működjön együtt velünk!
Professzionális gyártóként a VeTek Semiconductor kiváló minőségű ultra tiszta szilícium-karbid port szeretne kínálni a kristálynövekedéshez.
A VeTek Semiconductor az ultra tiszta szilícium-karbid por biztosítására specializálódott a kristálynövekedéshez, változó tisztaságú. További információért és árajánlatért lépjen kapcsolatba velünk még ma. Emelje fel félvezető kutatását és fejlesztését a VeTek Semiconductor kiváló minőségű termékeivel.
A VeTek Semiconductor Ultra Pure Silicon Carbide por kristálynövekedéshez magas hőmérsékletű szilárd fázisú reakciómódszerrel készül, nagy tisztaságú szilíciumport és nagy tisztaságú szénport nyersanyagként. Akár 99,999 tömegszázalékos tisztaságú, valamint rendkívül alacsony nitrogén-, bór-, alumínium- és egyéb szennyezőanyagok szennyeződése miatt kifejezetten a nagy tisztaságú szilícium-karbid félszigetelő tulajdonságainak javítására készült.
Félvezető minőségű szilícium-karbid porunk tisztasága lenyűgöző 99,999%, így kiváló alapanyag a szilícium-karbid egykristályok előállításához. Ami termékünket megkülönbözteti a piacon lévő többi terméktől, az a nagy sebességű kristálynövekedés. A 0,2-0,3 mm/h kristálynövekedési sebességgel jelentősen csökkenti a kristálynövekedési időt és csökkenti a teljes gyártási költségeket.
A szilícium-karbid por minősége kulcsfontosságú a magas kristálynövekedési hozam eléréséhez, és pontos gyártási folyamatokat igényel. Technológiánk magában foglalja a különböző szakaszokban történő termikus elválasztást a különböző tulajdonságú szennyeződések eltávolítása érdekében, ami nagy tisztaságú, félig szigetelő, alacsony nitrogéntartalmú szilícium-karbid port eredményez. A por granulátummá történő további feldolgozásával és termikus ciklusos technikák alkalmazásával teljesítjük a szilícium-karbid kristályok méretnövekedési követelményeit. Ennek a technológiának a célja a hazai fejlett félvezető-kutatási képességek fejlesztése, az anyagi önellátás javítása, a nemzetközi monopóliumok kezelése és a gyártási költségek csökkentése a hazai szilícium-karbid-félvezetőiparban, végső soron növelve annak globális versenyképességét.