Tégely monokristályos szilíciumhoz

A Vetek Semiconductor Crucible for Monocrystalline Silicon nélkülözhetetlen az egykristály növekedés eléréséhez, ami a félvezető eszközök gyártásának sarokköve. Ezeket az olvasztótégelyeket aprólékosan úgy tervezték, hogy megfeleljenek a félvezetőipar szigorú szabványainak, és minden alkalmazásban csúcsteljesítményt és hatékonyságot biztosítanak. A Vetek Semiconductornál elkötelezettek vagyunk a kristálynövekedéshez szükséges nagy teljesítményű tégelyek gyártása és szállítása iránt, amelyek a minőséget a költséghatékonysággal ötvözik.

Kérdés küldése

termékleírás

A CZ (Czochralski) módszerben egykristályt növesztenek úgy, hogy egy monokristályos magot érintkezésbe hoznak olvadt polikristályos szilíciummal. A vetőmag fokozatosan felfelé húzódik, miközben lassan forog. Ebben az eljárásban jelentős számú grafit alkatrészt használnak fel, így ez az a módszer, amely a legtöbb grafitkomponenst alkalmazza a szilícium félvezető gyártásban.

Az alábbi képen a CZ módszeren alapuló szilícium egykristályos gyártási kemence sematikus ábrázolása látható.

A Vetek Semiconductor's Crucible for Monocrystalline Silicon stabil és ellenőrzött környezetet biztosít, amely elengedhetetlen a félvezető kristályok pontos képzéséhez. Hozzájárulnak a monokristályos szilícium öntvények olyan fejlett technikák alkalmazásával történő termesztéséhez, mint a Czochralski-eljárás és az úszózónás módszerek, amelyek létfontosságúak az elektronikai eszközök kiváló minőségű anyagainak előállításához.

A kiemelkedő hőstabilitásra, kémiai korrózióállóságra és minimális hőtágulásra tervezett tégelyek tartósságot és robusztusságot biztosítanak. Úgy tervezték, hogy ellenálljanak a kemény vegyi környezetnek anélkül, hogy a szerkezeti integritást vagy a teljesítményt veszélyeztetnék, ezáltal meghosszabbítják az olvasztótégely élettartamát, és megőrzik az egyenletes teljesítményt hosszan tartó használat során.

A monokristályos szilíciumhoz készült Vetek Semiconductor Crucibles egyedülálló összetétele lehetővé teszi, hogy kibírják a magas hőmérsékletű feldolgozás extrém körülményeit. Ez kivételes termikus stabilitást és tisztaságot garantál, amelyek kritikusak a félvezető feldolgozásban. A készítmény emellett elősegíti a hatékony hőátadást, elősegíti az egyenletes kristályosodást, és minimalizálja a termikus gradienseket a szilícium olvadékon belül.

SiC bevonatú szuszceptorunk előnyei:

Alapanyagvédelem: A CVD SiC bevonat védőrétegként működik az epitaxiális folyamat során, hatékonyan védve az alapanyagot az eróziótól és a külső környezet okozta károsodásoktól. Ez a védelmi intézkedés nagymértékben meghosszabbítja a berendezés élettartamát.

Kiváló hővezető képesség: CVD SiC bevonatunk kiemelkedő hővezető képességgel rendelkezik, hatékonyan továbbítja a hőt az alapanyagról a bevonat felületére. Ez javítja a hőkezelés hatékonyságát az epitaxia során, és optimális működési hőmérsékletet biztosít a berendezés számára.

Jobb filmminőség: A CVD SiC bevonat sima és egyenletes felületet biztosít, ideális alapot teremtve a film növekedéséhez. Csökkenti a rácshibákból eredő hibákat, javítja az epitaxiális film kristályosságát és minőségét, végső soron pedig javítja annak teljesítményét és megbízhatóságát.

Válassza a SiC bevonatú szuszceptorunkat epitaxiális lapkagyártási igényeihez, és élvezze a fokozott védelmet, a kiváló hővezető képességet és a jobb filmminőséget. Bízzon a VeTek Semiconductor innovatív megoldásaiban, hogy sikerei legyenek a félvezetőiparban.