2024-08-16
CVD SiC(Chemical Vapor Deposition Silicon Carbide) egy nagy tisztaságú szilícium-karbid anyag, amelyet kémiai gőzleválasztással állítanak elő. Főleg a félvezető-feldolgozó berendezések különböző alkatrészeihez és bevonataihoz használják.CVD SiC anyagkiváló termikus stabilitása, nagy keménysége, alacsony hőtágulási együtthatója és kiváló kémiai korrózióállósága van, így ideális anyag extrém folyamatkörülmények között.
A CVD SiC anyagot széles körben használják olyan alkatrészekben, amelyek magas hőmérsékletet, erősen korrozív környezetet és nagy mechanikai igénybevételt igényelnek a félvezető gyártási folyamatban,elsősorban az alábbi termékeket tartalmazza:
Védőrétegként használják a félvezető-feldolgozó berendezésekben, hogy megakadályozzák az alapfelület magas hőmérséklet, kémiai korrózió és mechanikai kopás általi károsodását.
SiC ostyahajó:
Magas hőmérsékletű folyamatokban (például diffúziós és epitaxiális növekedésben) ostyák szállítására és szállítására használják, hogy biztosítsák az ostyák stabilitását és a folyamatok egységességét.
SiC technológiai cső:
A SiC technológiai csöveket főként diffúziós kemencékben és oxidációs kemencékben használják, hogy szabályozott reakciókörnyezetet biztosítsanak a szilícium lapkák számára, biztosítva a pontos anyaglerakódást és az egyenletes adalékeloszlást.
A SiC konzolos lapátot elsősorban diffúziós és oxidációs kemencékben lévő szilícium ostyák szállítására vagy alátámasztására használják, és csapágy szerepet töltenek be. Különösen magas hőmérsékletű folyamatoknál, mint például diffúzió, oxidáció, lágyítás stb., biztosítja a szilícium lapkák stabilitását és egyenletes kezelését extrém környezetben.
CVD SiC zuhanyfej:
A plazmamarató berendezésekben gázelosztó komponensként használják, kiváló korrózióállósággal és termikus stabilitással az egyenletes gázeloszlás és maratási hatás biztosítása érdekében.
A berendezés reakciókamrájában található alkatrészek, amelyek a berendezés védelmére szolgálnak a magas hőmérséklet és a korrozív gázok okozta károsodástól, és meghosszabbítják a berendezés élettartamát.
Szilícium epitaxiás szuszceptorok:
A szilícium epitaxiális növekedési folyamatokban használt ostyahordozók az ostyák egyenletes melegítési és lerakódási minőségének biztosítására.
A kémiai gőzzel leválasztott szilícium-karbid (CVD SiC) széles körben alkalmazható a félvezető-feldolgozásban, főként olyan eszközök és alkatrészek gyártására, amelyek ellenállnak a magas hőmérsékletnek, a korróziónak és a nagy keménységnek.Alapvető szerepét a következő szempontok tükrözik:
Védőbevonatok magas hőmérsékletű környezetben:
Funkció: A CVD SiC-ot gyakran használják félvezető berendezések kulcsfontosságú alkatrészeinek felületi bevonására (például szuceptorok, reakciókamra burkolatok stb.). Ezeknek az alkatrészeknek magas hőmérsékletű környezetben kell működniük, és a CVD SiC bevonatok kiváló hőstabilitást biztosíthatnak, hogy megvédjék az aljzatot a magas hőmérsékletű károsodásoktól.
Előnyök: A CVD SiC magas olvadáspontja és kiváló hővezető képessége biztosítja, hogy az alkatrészek hosszú ideig stabilan működjenek magas hőmérsékleti viszonyok között, meghosszabbítva a berendezés élettartamát.
Korróziógátló alkalmazások:
Funkció: A félvezető gyártási folyamatban a CVD SiC bevonat hatékonyan ellenáll a korrozív gázok és vegyszerek eróziójának, és védi a berendezések és eszközök integritását. Ez különösen fontos az erősen korrozív gázok, például fluoridok és kloridok kezelésekor.
Előnyök: CVD SiC bevonattal az alkatrész felületére nagymértékben csökkenthető a korrózió okozta berendezés károsodás és karbantartási költség, és javítható a gyártás hatékonysága.
Nagy szilárdságú és kopásálló alkalmazások:
Funkció: A CVD SiC anyag nagy keménységéről és nagy mechanikai szilárdságáról ismert. Széles körben használják olyan félvezető alkatrészekben, amelyek kopásállóságot és nagy pontosságot igényelnek, mint például mechanikus tömítések, teherhordó alkatrészek stb. Ezek az alkatrészek működés közben erős mechanikai igénybevételnek és súrlódásnak vannak kitéve. A CVD SiC hatékonyan ellenáll ezeknek a feszültségeknek, és biztosítja az eszköz hosszú élettartamát és stabil teljesítményét.
Előnyök: A CVD SiC-ből készült alkatrészek nem csak extrém körülmények között képesek ellenállni a mechanikai igénybevételnek, hanem hosszú távú használat után is megőrzik méretstabilitásukat és felületi minőségüket.
Ugyanakkor a CVD SiC létfontosságú szerepet tölt beLED epitaxiális növekedés, teljesítmény félvezetők és egyéb területek. A félvezető gyártási folyamatban általában CVD SiC szubsztrátokat használnakEPI SUSCEPTOR-ok. Kiváló hővezető képességük és kémiai stabilitásuk jobb minőséget és konzisztenciát tesz lehetővé a kinőtt epitaxiális rétegek számára. Ezenkívül a CVD SiC-t széles körben használjákPSS maratási hordozók, RTP szelethordozók, ICP maratási hordozókstb., amelyek stabil és megbízható támogatást nyújtanak a félvezető maratása során az eszköz teljesítményének biztosítása érdekében.
A VeTek Semiconductor Technology Co., LTD a fejlett bevonóanyagok vezető szállítója a félvezetőipar számára. Cégünk a legmodernebb iparági megoldások fejlesztésére összpontosít.
Fő termékkínálatunk a CVD szilícium-karbid (SiC) bevonatok, tantál-karbid (TaC) bevonatok, ömlesztett SiC, SiC porok és nagy tisztaságú SiC anyagok, SiC bevonatú grafit szuszceptor, előmelegítés, TaC bevonatú terelőgyűrű, félhold, vágó alkatrészek stb. ., a tisztaság 5 ppm alatt van, a vágógyűrűk megfelelnek az ügyfelek igényeinek.
A VeTek félvezető az élvonalbeli technológiai és termékfejlesztési megoldások fejlesztésére összpontosít a félvezetőipar számára.Őszintén reméljük, hogy hosszú távú partnere leszünk Kínában.