A Vetek Semiconductor CVD SiC grafithengere kulcsfontosságú a félvezető berendezésekben, védőpajzsként szolgál a reaktorokban, hogy megóvja a belső alkatrészeket magas hőmérsékleten és nyomáson. Hatékonyan véd a vegyszerek és az extrém hőhatások ellen, megőrzi a berendezés épségét. Kivételes kopás- és korrózióállóságával hosszú élettartamot és stabilitást biztosít kihívásokkal teli környezetben. Ezeknek a burkolatoknak a használata javítja a félvezető eszközök teljesítményét, meghosszabbítja az élettartamot, valamint mérsékli a karbantartási igényeket és a károsodási kockázatokat.
A Vetek Semiconductor CVD SiC grafithengere fontos szerepet játszik a félvezető berendezésekben. Általában védőburkolatként használják a reaktor belsejében, hogy védelmet nyújtson a reaktor belső alkatrészei számára magas hőmérsékletű és nagy nyomású környezetben. Ez a védőburkolat hatékonyan képes elkülöníteni a reaktorban lévő vegyszereket és a magas hőmérsékletet, megakadályozva, hogy azok károsítsák a berendezést. Ugyanakkor a CVD SiC grafithenger kiváló kopás- és korrózióállósággal is rendelkezik, így képes megőrizni a stabilitást és a hosszú távú tartósságot kemény munkakörülmények között is. Az ebből az anyagból készült védőburkolatok használatával a félvezető eszközök teljesítménye és megbízhatósága javítható, meghosszabbítva a készülék élettartamát, miközben csökkenti a karbantartási igényeket és a károsodás kockázatát.
A CVD SiC grafithenger számos alkalmazási területtel rendelkezik a félvezető berendezésekben, beleértve, de nem kizárólagosan a következő szempontokat:
Hőkezelő berendezés: A CVD SiC grafithenger védőburkolatként vagy hőpajzsként használható a hőkezelő berendezésekben, hogy megvédje a belső alkatrészeket a magas hőmérséklettől, miközben kiváló magas hőmérsékleti ellenállást biztosít.
Chemical Vapor Deposition (CVD) reaktor: A CVD reaktorban a CVD SiC Graphite Cylinder a kémiai reakciókamra védőburkolataként használható, hatékonyan szigeteli el a reakcióanyagot és biztosítja a korrózióállóságot.
Alkalmazások korrozív környezetben: Kiváló korrózióállóságának köszönhetően a CVD SiC Graphite Cylinder kémiailag korrodált környezetben, például korrozív gáz- vagy folyékony környezetben használható a félvezetőgyártás során.
Félvezető növesztő berendezés: Védőburkolatok vagy más alkatrészek, amelyeket a félvezető növesztő berendezésekben használnak a berendezések magas hőmérséklettől, kémiai korróziótól és kopástól való védelmére, a berendezés stabilitásának és hosszú távú megbízhatóságának biztosítása érdekében.
Magas hőmérsékleti stabilitás, korrózióállóság, kiváló mechanikai tulajdonságok, hővezető képesség.Ezekkel a kiváló teljesítménnyel segíti a hő hatékonyabb elvezetését a félvezető eszközökben, megőrzi az eszköz stabilitását és teljesítményét.
A CVD SiC bevonat alapvető fizikai tulajdonságai | |
Ingatlan | Tipikus érték |
Kristályszerkezet | FCC β fázisú polikristályos, főleg (111) orientált |
Sűrűség | 3,21 g/cm³ |
Keménység | 2500 Vickers keménység (500 g terhelés) |
szemcseméret | 2~10μm |
Kémiai tisztaság | 99,99995% |
Hőkapacitás | 640 J·kg-1·K-1 |
Szublimációs hőmérséklet | 2700 ℃ |
Hajlító szilárdság | 415 MPa RT 4 pontos |
Young's Modulus | 430 Gpa 4pt kanyar, 1300 ℃ |
Hővezetőképesség | 300W·m-1·K-1 |
Hőtágulás (CTE) | 4,5×10-6K-1 |