CVD SiC bevonatfúvóka

A Vetek Semiconductor CVD SiC bevonatfúvókái az LPE SiC epitaxiás eljárásban használt kulcsfontosságú komponensek a félvezetőgyártás során a szilícium-karbid anyagok felhordására. Ezek a fúvókák jellemzően magas hőmérsékletű és kémiailag stabil szilícium-karbid anyagból készülnek, hogy biztosítsák a stabilitást kemény feldolgozási környezetben. Az egyenletes felhordásra tervezték, kulcsszerepet játszanak a félvezető alkalmazásokban termesztett epitaxiális rétegek minőségének és egyenletességének ellenőrzésében. Várjuk, hogy hosszú távú együttműködést alakítsunk ki Önnel.

Kérdés küldése

termékleírás

A VeTek Semiconductor CVD SiC bevonat-tartozékok speciális gyártója epitaxiális eszközökhöz, mint például a CVD SiC Coating félhold alkatrészek és a hozzá tartozó CVD SiC Coating Nozzels. Üdvözöljük, érdeklődjön tőlünk.

A PE1O8 egy teljesen automatikus patronok közötti rendszer, amelyet kezelni terveztekSiC ostyák200 mm-ig. A formátum 150 és 200 mm között állítható, minimalizálva a szerszámleállási időt. A fűtési fokozatok csökkentése növeli a termelékenységet, míg az automatizálás csökkenti a munkát, javítja a minőséget és az ismételhetőséget. A hatékony és költség-versenyképes epitaxiás folyamat biztosítása érdekében három fő tényezőt ismertetnek:

● gyors folyamat;

● nagy egyenletes vastagság és adalékolás;

● minimalizálja a hibák kialakulását az epitaxia során.

A PE1O8-ban a kis grafittömeg és az automatikus be-/ürítő rendszer lehetővé teszi, hogy egy szabványos futást kevesebb, mint 75 perc alatt teljesítsen (a szabványos 10 μm-es Schottky dióda készítmény 30 μm/h növekedési sebességet használ). Az automata rendszer lehetővé teszi a be- és kirakodást magas hőmérsékleten. Ennek eredményeként a felfűtési és hűtési idő rövid, míg a sütési lépés le van tiltva. Ez az ideális állapot lehetővé teszi a valódi adalékolatlan anyagok növekedését.

A szilícium-karbid epitaxia folyamatában a CVD SiC bevonatfúvókák döntő szerepet játszanak az epitaxiális rétegek növekedésében és minőségében. Itt található a fúvókák szerepének kibővített magyarázataszilícium-karbid epitaxia:

● Gázellátás és -szabályozás: A fúvókák az epitaxia során szükséges gázkeverék szállítására szolgálnak, beleértve a szilíciumforrású gázt és a szénforrás gázt is. A fúvókákon keresztül a gázáramlás és az arányok pontosan szabályozhatók az epitaxiális réteg egyenletes növekedése és a kívánt kémiai összetétel biztosítása érdekében.

● Hőmérséklet-szabályozás: A fúvókák az epitaxia reaktoron belüli hőmérséklet szabályozásában is segítenek. A szilícium-karbid epitaxiában a hőmérséklet kritikus tényező, amely befolyásolja a növekedési sebességet és a kristály minőségét. A fúvókákon keresztül hő- vagy hűtőgáz biztosításával az epitaxiális réteg növekedési hőmérséklete az optimális növekedési feltételekhez igazítható.

● Gázáramlás elosztása: A fúvókák kialakítása befolyásolja a gáz egyenletes eloszlását a reaktoron belül. Az egyenletes gázáramlás-eloszlás biztosítja az epitaxiális réteg egyenletességét és egyenletes vastagságát, elkerülve az anyagminőség egyenetlenségével kapcsolatos problémákat.

● A szennyeződések szennyeződésének megelőzése: A fúvókák megfelelő kialakítása és használata segíthet megelőzni a szennyeződések szennyeződését az epitaxia során. A megfelelő fúvókakialakítás minimálisra csökkenti a külső szennyeződések reaktorba jutásának valószínűségét, biztosítva az epitaxiális réteg tisztaságát és minőségét.

CVD SIC BEVONAT FILM KRISTÁLY SZERKEZET:

CVD SIC COATING FILM CRYSTAL STRUCTURE

A CVD SiC bevonat alapvető fizikai tulajdonságai:

A CVD SiC bevonat alapvető fizikai tulajdonságai
Ingatlan	Tipikus érték
Kristályszerkezet	FCC β fázisú polikristályos, főleg (111) orientált
SiC bevonat Sűrűség	3,21 g/cm³
Keménység	2500 Vickers keménység (500g terhelés)
szemcseméret	2~10μm
Kémiai tisztaság	99,99995%
Hőkapacitás	640 J·kg^-1·K^-1
Szublimációs hőmérséklet	2700 ℃
Hajlító szilárdság	415 MPa RT 4 pontos
Young's Modulus	430 Gpa 4pt kanyar, 1300 ℃
Hővezetőképesség	300W·m^-1·K^-1
Hőtágulás (CTE)	4,5×10^-6K^-1