CVD SiC bevonat terelőlemez

A Vetek Semiconductor CVD SiC bevonat terelőlemezét főként a Si Epitaxiában használják. Általában szilícium hosszabbító hordókhoz használják. Egyesíti a CVD SiC Coating Baffle egyedülálló magas hőmérsékletét és stabilitását, ami nagymértékben javítja a légáramlás egyenletes eloszlását a félvezetőgyártás során. Hiszünk abban, hogy termékeink fejlett technológiát és kiváló minőségű termékmegoldásokat kínálnak Önnek.

Kérdés küldése

termékleírás

Professzionális gyártóként szeretnénk Önnek kiváló minőséget nyújtaniCVD SiC bevonat terelőlemez.

Folyamatos folyamat- és anyaginnovációs fejlesztéssel,Vetek Semiconductor'sCVD SiC bevonat terelőlemezegyedülálló jellemzői a magas hőmérsékleti stabilitás, a korrózióállóság, a nagy keménység és a kopásállóság. Ezek az egyedi jellemzők határozzák meg, hogy a CVD SiC Coating Baffle fontos szerepet játszik az epitaxiális folyamatban, és szerepe elsősorban a következő szempontokat foglalja magában:

A légáramlás egyenletes eloszlása: A CVD SiC Coating Baffle zseniális kialakítása egyenletes légáramlást biztosít az epitaxiás folyamat során. Az egyenletes légáramlás elengedhetetlen az anyagok egyenletes növekedéséhez és minőségének javításához. A termék hatékonyan irányíthatja a légáramlást, elkerülheti a túlzott vagy gyenge helyi légáramlást, és biztosítja az epitaxiális anyagok egyenletességét.

Irányítsd az epitaxia folyamatát: A CVD SiC Coating Baffle helyzete és kialakítása pontosan tudja szabályozni a légáramlás áramlási irányát és sebességét az epitaxiás folyamat során. Elrendezésének és alakjának beállításával a légáramlás pontos szabályozása érhető el, ezáltal optimalizálhatók az epitaxia feltételei, és javul az epitaxia hozama és minősége.

Csökkentse az anyagi veszteséget: A CVD SiC Coating Baffle ésszerű beállítása csökkentheti az anyagveszteséget az epitaxiás folyamat során. Az egyenletes légáramlás-eloszlás csökkentheti az egyenetlen fűtés okozta hőfeszültséget, csökkenti az anyagtörés és -károsodás kockázatát, valamint meghosszabbítja az epitaxiális anyagok élettartamát.

Az epitaxia hatékonyságának javítása: A CVD SiC Coating Baffle kialakítása optimalizálhatja a légáramlás átviteli hatékonyságát, és javíthatja az epitaxiás folyamat hatékonyságát és stabilitását. A termék használatával maximalizálható az epitaxiális berendezés funkciója, javítható a termelés hatékonysága és csökkenthető az energiafogyasztás.

Alapvető fizikai tulajdonságaiCVD SiC bevonat terelőlemez：