itthon > Termékek > Szilícium-karbid bevonat > Szilícium epitaxia > SiC bevonatú palacsinta szuszceptor LPE PE3061S 6" ostyához
SiC bevonatú palacsinta szuszceptor LPE PE3061S 6
  • SiC bevonatú palacsinta szuszceptor LPE PE3061S 6SiC bevonatú palacsinta szuszceptor LPE PE3061S 6
  • SiC bevonatú palacsinta szuszceptor LPE PE3061S 6SiC bevonatú palacsinta szuszceptor LPE PE3061S 6

SiC bevonatú palacsinta szuszceptor LPE PE3061S 6" ostyához

A VeTek Semiconductor az LPE PE3061S 6" ostyák vezető SiC bevonatú palacsinta szuszceptor gyártója és újítója Kínában. Sok éve specializálódtunk a SiC bevonóanyagokra. Kifejezetten az LPE PE3061S 6" ostyákhoz tervezett SiC bevonatú palacsinta szuszceptort kínálunk. . Ez az epitaxiális szuszceptor nagy korrózióállósággal, jó hővezetési teljesítménnyel és jó egyenletességgel rendelkezik. Üdvözöljük, hogy látogassa meg kínai gyárunkat.

Kérdés küldése

termékleírás

Professzionális gyártóként a VeTek Semiconductor szeretne kiváló minőségű SiC bevonatú palacsinta szuszceptort kínálni az LPE PE3061S 6" ostyákhoz.

A VeTeK Semiconductor SiC bevonatú palacsinta szuszceptor az LPE PE3061S 6" lapkákhoz a félvezetőgyártási folyamatokban használt kritikus berendezés.


SiC bevonatú palacsinta szuszceptor LPE PE3061S 6" ostyához Termékjellemzők:

Stabilitás magas hőmérsékleten: A SiC kiváló magas hőmérsékleti stabilitást mutat, megőrzi szerkezetét és teljesítményét magas hőmérsékletű környezetben.

Kiemelkedő hővezető képesség: A SiC kivételes hővezető képességgel rendelkezik, amely gyors és egyenletes hőátadást tesz lehetővé a gyors és egyenletes melegítés érdekében.

Korrózióállóság: A SiC kiváló kémiai stabilitással rendelkezik, ellenáll a korróziónak és az oxidációnak különféle fűtési környezetben.

Egyenletes fűtéseloszlás: SiC bevonatú ostyahordozó egyenletes hőeloszlást biztosít, egyenletes hőmérsékletet biztosítva az ostya felületén a melegítés során.

Alkalmas félvezető gyártására: A Si epitaxiás lapkahordozót széles körben használják félvezető gyártási folyamatokban, különösen Si-epitaxiás növekedéshez és más magas hőmérsékletű melegítési eljárásokhoz.


A termék előnyei:

Fokozott gyártási hatékonyság: SiC bevonatú palacsinta szuszceptor gyors és egyenletes melegítést tesz lehetővé, csökkenti a melegítési időt és növeli a termelés hatékonyságát.

Biztosított termékminőség: Az egyenletes fűtési eloszlás biztosítja a konzisztenciát az ostyafeldolgozás során, ami jobb termékminőséget eredményez.

A berendezés meghosszabbított élettartama: A SiC anyag kiváló hőállóságot és kémiai stabilitást biztosít, hozzájárulva a palacsintasuszkeptor hosszabb élettartamához.

Személyre szabott megoldások: SiC bevonatú szuszceptor, Si epitaxy ostyahordozó a vevői igények alapján különböző méretekre és specifikációkra szabható.


SEM data and structure of CVD SIC films


A CVD SiC bevonat alapvető fizikai tulajdonságai:

A CVD SiC bevonat alapvető fizikai tulajdonságai
Ingatlan Tipikus érték
Kristályszerkezet FCC β fázisú polikristályos, főleg (111) orientált
Sűrűség 3,21 g/cm³
Keménység 2500 Vickers keménység (500g terhelés)
szemcseméret 2~10μm
Kémiai tisztaság 99,99995%
Hőkapacitás 640 J·kg-1·K-1
Szublimációs hőmérséklet 2700 ℃
Hajlító szilárdság 415 MPa RT 4 pontos
Young's Modulus 430 Gpa 4pt kanyar, 1300 ℃
Hővezetőképesség 300W·m-1·K-1
Hőtágulás (CTE) 4,5×10-6K-1


VeTek Félvezetőgyártó Bolt

VeTek Semiconductor Production Shop


A félvezető chipek epitaxiás ipari láncának áttekintése:

Overview of the semiconductor chip epitaxy industry chain


Hot Tags: SiC bevonatú palacsinta szuszceptor LPE PE3061S 6'' ostyákhoz, Kína, Gyártó, Szállító, Gyári, Testreszabott, Vásárlás, Speciális, Tartós, Kínában gyártott
Kapcsolódó kategória
Kérdés küldése
Kérdését az alábbi űrlapon adja meg. 24 órán belül válaszolunk.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept