itthon > hírek > Ipari hírek

Porózus tantál-karbid: Új generációs anyagok a SiC kristályok növekedéséhez

2024-11-18

A vezetőképes SiC hordozók fokozatos tömeggyártásával magasabb követelmények támasztják a folyamat stabilitását és megismételhetőségét. Különösen a hibák szabályozása, a kemence termikus mezőjének csekély módosítása vagy eltolódása vezet a kristály változásához vagy a hibák növekedéséhez.


A későbbi szakaszban azzal a kihívással kell szembenéznünk, hogy „gyorsabban, vastagabbra és hosszabbra nőjön”. Támogatásként az elméleti és mérnöki fejlesztések mellett korszerűbb hőteres anyagokra van szükség. Használjon fejlett anyagokat fejlett kristályok termesztéséhez.


Az olyan anyagok, mint a grafit, porózus grafit és tantál-karbid por helytelen használata a tégelyben a termikus térben hibákhoz, például megnövekedett szénzárványokhoz vezet. Ezenkívül egyes alkalmazásokban a porózus grafit permeabilitása nem elegendő, és további lyukakat kell nyitni az áteresztőképesség növelése érdekében. A nagy áteresztőképességű porózus grafit olyan kihívásokkal néz szembe, mint a feldolgozás, a porveszteség és a maratás.


A VeTek Semiconductor a közelmúltban piacra dobta a SiC kristálynövekedési termikus mező anyagok új generációját,porózus tantál-karbid, először a világon.


A tantál-karbid nagy szilárdsággal és keménységgel rendelkezik, és még nagyobb kihívást jelent porózussá tenni. Még nagyobb kihívást jelent nagy porozitású és nagy tisztaságú porózus tantál-karbid előállítása. A VeTek Semiconductor piacra dobott egy nagy porozitású, áttörést jelentő porózus tantál-karbidot,75%-os maximális porozitással elérve a nemzetközi vezető szintet.


Ezen túlmenően használható gázfázisú komponensek szűrésére, helyi hőmérsékleti gradiensek beállítására, anyagáramlási irány irányítására, szivárgás szabályozására stb.; kombinálható a VeTek Semiconductor másik szilárd tantál-karbid (sűrű) vagy tantál-karbid bevonatával, hogy különböző helyi áramlási vezetőképességű alkatrészeket képezzenek; egyes alkatrészek újra felhasználhatók.


Műszaki paraméterek


Porozitás ≤75% Nemzetközi vezető

Forma: pelyhes, hengeres Nemzetközi vezető

Egyenletes porozitás


A VeTek félvezető porózus tantál-karbid (TaC) a következő termékjellemzőkkel rendelkezik


●   Porozitás sokoldalú alkalmazásokhoz

A TaC porózus szerkezete multifunkcionalitást biztosít, lehetővé téve a használatát speciális forgatókönyvekben, mint például:


Gáz diffúzió: Megkönnyíti a gázáramlás pontos szabályozását a félvezető folyamatokban.

Szűrés: Ideális a nagy teljesítményű részecskeleválasztást igénylő környezetekhez.

Szabályozott hőelvezetés: Hatékonyan kezeli a hőt magas hőmérsékletű rendszerekben, javítva az általános hőszabályozást.


●   Extrém magas hőmérsékleti ellenállás

Körülbelül 3880°C olvadáspontjával a tantál-karbid kiváló az ultramagas hőmérsékletű alkalmazásokban. Ez a kivételes hőállóság egyenletes teljesítményt biztosít olyan körülmények között, ahol a legtöbb anyag meghibásodik.


●   Kiváló keménység és tartósság

A Mohs-keménységi skála 9-10. helyezése, hasonlóan a gyémánthoz, a Porous TaC páratlan ellenállást mutat a mechanikai kopással szemben, még rendkívüli igénybevétel esetén is. Ez a tartósság ideálissá teszi a koptató környezetnek kitett alkalmazásokhoz.


●   Kivételes hőstabilitás

A tantál-karbid megőrzi szerkezeti integritását és teljesítményét szélsőséges hőségben is. Figyelemre méltó hőstabilitása megbízható működést biztosít a magas hőmérsékletű konzisztenciát igénylő iparágakban, mint például a félvezetőgyártás és a repülőgépipar.


●   Kiváló hővezető képesség

Porózus természete ellenére a Porous TaC hatékony hőátadást tart fenn, lehetővé téve olyan rendszerekben történő használatát, ahol a gyors hőelvezetés kritikus. Ez a tulajdonság javítja az anyag alkalmazhatóságát a hőigényes folyamatokban.


●   Alacsony hőtágulás a méretstabilitásért

Alacsony hőtágulási együtthatójával a tantál-karbid ellenáll a hőmérséklet-ingadozások okozta méretváltozásoknak. Ez a tulajdonság minimálisra csökkenti a hőterhelést, meghosszabbítja az alkatrészek élettartamát, és megőrzi a precizitást a kritikus rendszerekben.


A félvezetőgyártásban a porózus tantál-karbid (TaC) a következő specifikus kulcsszerepeket tölti be


●  Magas hőmérsékletű eljárásoknál, például plazmamaratással és CVD-vel, a VeTek félvezető porózus tantál-karbidot gyakran használják védőbevonatként a feldolgozó berendezésekben. Ez a TaC Coating erős korrózióállóságának és magas hőmérsékleti stabilitásának köszönhető. Ezek a tulajdonságok biztosítják, hogy hatékonyan védi a reaktív gázoknak vagy szélsőséges hőmérsékleteknek kitett felületeket, ezáltal biztosítva a magas hőmérsékletű folyamatok normális reakcióját.


●  Diffúziós folyamatokban a porózus tantál-karbid hatékony diffúziós gátként szolgálhat, hogy megakadályozza az anyagok keveredését a magas hőmérsékletű folyamatokban. Ezt a funkciót gyakran használják az adalékanyagok diffúziójának szabályozására olyan eljárásokban, mint az ionimplantáció és a félvezető lapkák tisztaságának szabályozása.


●  A VeTek félvezető porózus tantál-karbid porózus szerkezete nagyon alkalmas olyan félvezető-feldolgozási környezetekben, ahol pontos gázáramlás-szabályozásra vagy szűrésre van szükség. Ebben a folyamatban a porózus TaC főként a gázszűrés és -elosztás szerepét tölti be. Kémiai tehetetlensége biztosítja, hogy a szűrési folyamat során ne kerüljenek be szennyeződések. Ez hatékonyan garantálja a feldolgozott termék tisztaságát.


About VeTek Semiconductor


Kínai professzionális porózus tantál-karbid gyártóként, szállítóként, gyárként saját gyárunk van. Akár testreszabott szolgáltatásokra van szüksége régiója speciális igényeinek kielégítésére, akár fejlett és tartós, Kínában gyártott porózus tantál-karbidot szeretne vásárolni, hagyjon nekünk üzenetet.

Ha bármilyen kérdése van, vagy további részletekre van szükségePorózus tantál-karbidTantál-karbid bevonatú porózus grafités egyébTantál-karbid bevonatú alkatrészekkérjük, ne habozzon kapcsolatba lépni velünk.

Mob/WhatsAPP: +86-180 6922 0752

E-mail: anny@veteksemi.com


X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept