itthon > Termékek > Tantál-karbid bevonat > SiC epitaxiás folyamat > Tantál-karbid bevonatú porózus grafit
Tantál-karbid bevonatú porózus grafit
  • Tantál-karbid bevonatú porózus grafitTantál-karbid bevonatú porózus grafit

Tantál-karbid bevonatú porózus grafit

A tantál-karbid bevonatú porózus grafit nélkülözhetetlen termék a félvezető-feldolgozási folyamatban, különösen a SIC kristálynövekedési folyamatban. A folyamatos kutatás-fejlesztési beruházások és technológiai fejlesztések után a VeTek Semiconductor TaC bevonatú porózus grafit termékminősége nagy dicséretet kapott az európai és amerikai vásárlók részéről. Üdvözöljük további konzultációján.

Kérdés küldése

termékleírás

A VeTek félvezető, tantál-karbid bevonatú porózus grafit szilícium-karbid (SiC) kristályává vált szupermagas hőmérséklet-állóságának (3880°C körüli olvadáspont), kiváló termikus stabilitásának, mechanikai szilárdságának és kémiai tehetetlenségének köszönhetően magas hőmérsékletű környezetben. Nélkülözhetetlen anyag a növekedési folyamatban. Különösen porózus szerkezete biztosít számos technikai előnyt akristálynövekedési folyamat


Az alábbiakban részletes elemzést adunkTantál-karbid bevonatú porózus grafitfő szerepe:

● A gázáramlás hatékonyságának javítása és a folyamatparaméterek pontos szabályozása

A porózus grafit mikroporózus szerkezete elősegítheti a reakciógázok (például karbidgáz és nitrogén) egyenletes eloszlását, ezáltal optimalizálva a reakciózónában a légkört. Ez a jellemző hatékonyan elkerülheti a helyi gázfelhalmozódást vagy turbulencia problémákat, biztosítja, hogy a SiC kristályok egyenletesen feszültség alatt legyenek a növekedési folyamat során, és a hibaarány jelentősen csökken. Ugyanakkor a porózus szerkezet lehetővé teszi a gáznyomás gradiensének pontos beállítását, tovább optimalizálva a kristálynövekedési sebességet és javítva a termék konzisztenciáját.


●  Csökkentse a hőfeszültség felhalmozódását és javítsa a kristály integritását

Magas hőmérsékletű műveleteknél a porózus tantál-karbid (TaC) rugalmas tulajdonságai jelentősen mérséklik a hőmérséklet-különbségek okozta hőfeszültség-koncentrációkat. Ez a képesség különösen fontos SiC kristályok termesztése során, csökkentve a termikus repedés kialakulásának kockázatát, ezáltal javítva a kristályszerkezet integritását és a feldolgozási stabilitást.


●  Optimalizálja a hőelosztást és javítja az energiafelhasználás hatékonyságát

A tantál-karbid bevonat nemcsak nagyobb hővezető képességet biztosít a porózus grafitnak, hanem porózus jellemzői is egyenletesen osztják el a hőt, biztosítva a rendkívül egyenletes hőmérséklet-eloszlást a reakcióterületen belül. Ez az egységes hőkezelés a nagy tisztaságú SiC kristályok előállításának alapvető feltétele. Jelentősen javíthatja a fűtési hatékonyságot, csökkentheti az energiafogyasztást, és gazdaságosabbá és hatékonyabbá teheti a gyártási folyamatot.


●  Növeli a korrózióállóságot és meghosszabbítja az alkatrészek élettartamát

A magas hőmérsékletű környezetben (például hidrogén- vagy szilícium-karbid gőzfázisban) keletkező gázok és melléktermékek súlyos korróziót okozhatnak az anyagokon. A TaC bevonat kiváló kémiai gátat biztosít a porózus grafitnak, jelentősen csökkentve az alkatrész korróziós sebességét, ezáltal meghosszabbítva annak élettartamát. Ezenkívül a bevonat biztosítja a porózus szerkezet hosszú távú stabilitását, biztosítva, hogy a gázszállítási tulajdonságok ne változzanak.


●  Hatékonyan blokkolja a szennyeződések diffúzióját és biztosítja a kristálytisztaságot

A bevonat nélküli grafitmátrix nyomokban szennyeződéseket bocsáthat ki, és a TaC bevonat szigetelő gátként működik, hogy megakadályozza, hogy ezek a szennyeződések magas hőmérsékletű környezetben diffundáljanak a SiC kristályba. Ez az árnyékoló hatás kritikus fontosságú a kristálytisztaság javítása és a félvezetőipar magas minőségű SiC anyagokra vonatkozó szigorú követelményeinek teljesítésében.


A VeTek félvezető tantál-karbid bevonatú porózus grafitja jelentősen javítja a folyamat hatékonyságát és a kristályminőséget azáltal, hogy optimalizálja a gázáramlást, csökkenti a hőfeszültséget, javítja a termikus egyenletességet, javítja a korrózióállóságot és gátolja a szennyeződések diffúzióját a SiC kristálynövekedési folyamat során. Ennek az anyagnak az alkalmazása nemcsak a nagy pontosságot és tisztaságot biztosítja a gyártás során, hanem nagymértékben csökkenti az üzemeltetési költségeket is, így a modern félvezetőgyártás fontos pillére.

Ennél is fontosabb, hogy a VeTeksemi régóta elkötelezett amellett, hogy fejlett technológiát és termékmegoldásokat biztosítson a félvezető-gyártó ipar számára, és támogatja a testre szabott tantál-karbid bevonatú porózus grafit termékszolgáltatásokat. Őszintén várjuk, hogy hosszú távú partnere lehessünk Kínában.


A tantál-karbid bevonat fizikai tulajdonságai

A TaC bevonat fizikai tulajdonságai
TaC bevonat Sűrűség
14,3 (g/cm³)
Fajlagos emissziós tényező
0.3
Hőtágulási együttható
6,3*10-6/K
TaC bevonat keménysége (HK)
2000 HK
Tantál-karbid bevonat Ellenállás
1×10-5Ohm*cm
Hőstabilitás
<2500 ℃
A grafit mérete megváltozik
-10-20um
Bevonat vastagsága
≥20um tipikus érték (35um±10um)

VeTek félvezető tantál-karbid bevonatú porózus grafit gyártóüzemek

Graphite substrateSingle crystal growth furnaceGraphite ring assemblySemiconductor process equipment

Hot Tags: Tantál-karbid bevonatú porózus grafit, Kína, Gyártó, Szállító, Gyári, Testreszabott, Vásárlás, Speciális, Tartós, Kínában gyártott
Kapcsolódó kategória
Kérdés küldése
Kérdését az alábbi űrlapon adja meg. 24 órán belül válaszolunk.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept