SiC bevonatú grafit szuszceptor MOCVD-hez

A VeTek Semiconductor a szilícium-karbamid bevonatú grafit szuszceptorok vezető gyártója és szállítója a MOCVD-hez Kínában, amely SiC bevonatokra és epitaxiális félvezető termékekre szakosodott a félvezetőipar számára. MOCVD SiC bevonatú grafit szuszceptoraink versenyképes minőséget és árat kínálnak, Európa és Amerika piacait kiszolgálva. Elkötelezettek vagyunk amellett, hogy az Ön hosszú távú, megbízható partnerévé váljunk a félvezetőgyártás fejlesztésében.

Kérdés küldése

termékleírás

A VeTek Semiconductor SiC Coated Graphite Susceptor for MOCVD egy nagy tisztaságú SiC bevonatú grafithordozó, amelyet kifejezetten az ostya chipeken történő epitaxiális rétegnövekedéshez terveztek. A MOCVD feldolgozás központi elemeként, tipikusan fogaskerék vagy gyűrű alakú, kivételes hőállósággal és korrózióállósággal büszkélkedhet, ami stabilitást biztosít extrém körülmények között is.

A MOCVD SiC bevonatú grafit szuszceptor főbb jellemzői:

● Pellelálló bevonat: Biztosítja a SiC bevonat egyenletes lefedését minden felületen, csökkentve a részecskék leválásának kockázatát

● Kiváló magas hőmérsékletű oxidációállóságce: 1600°C-ig stabil marad

● Nagy tisztaságú: CVD kémiai gőzleválasztással gyártva, alkalmas magas hőmérsékletű klórozási körülményekre

● Kiváló korrózióállóság: Rendkívül ellenálló savakkal, lúgokkal, sókkal és szerves reagensekkel szemben

● Optimalizált lamináris légáramlási minta: Növeli a légáramlás dinamikájának egyenletességét

● Egyenletes hőeloszlás: Stabil hőeloszlást biztosít magas hőmérsékletű folyamatok során

● Szennyezés megelőzése: Megakadályozza a szennyeződések diffúzióját, biztosítva az ostya tisztaságát

A VeTek Semiconductornál szigorú minőségi előírásokat követünk, megbízható termékeket és szolgáltatásokat kínálva ügyfeleinknek. Kizárólag prémium anyagokat választunk, törekszünk arra, hogy megfeleljünk és meghaladjuk az ipari teljesítmény követelményeit. SiC bevonatú grafit szuszceptorunk MOCVD-hez jól példázza ezt a minőség iránti elkötelezettséget. Lépjen kapcsolatba velünk, ha többet szeretne megtudni arról, hogyan tudjuk támogatni a félvezető lapka feldolgozási igényeit.

CVD SIC FILMKRISTÁLYSZERKEZET:

SEM DATA OF CVD SIC FILM

A CVD SiC bevonat alapvető fizikai tulajdonságai:

A CVD SiC bevonat alapvető fizikai tulajdonságai
Ingatlan	Tipikus érték
Kristályszerkezet	FCC β fázisú polikristályos, főleg (111) orientált
Sűrűség	3,21 g/cm³
Keménység	2500 Vickers keménység (500g terhelés)
Szemcseméret	2~10μm
Kémiai tisztaság	99,99995%
Hőkapacitás	640 J·kg^-1·K^-1
Szublimációs hőmérséklet	2700 ℃
Hajlító szilárdság	415 MPa RT 4 pontos
Young's Modulus	430 Gpa 4pt kanyar, 1300 ℃
Hővezetőképesség	300W·m^-1·K^-1
Hőtágulás (CTE)	4,5×10^-6K^-1