SiC bevonatú tartógyűrű

A VeTek Semiconductor egy professzionális kínai gyártó és szállító, elsősorban SiC bevonatú tartógyűrűket, CVD szilícium-karbid (SiC) bevonatokat, tantál-karbid (TaC) bevonatokat, ömlesztett SiC, SiC porokat és nagy tisztaságú SiC anyagokat gyárt. Elkötelezettek vagyunk amellett, hogy tökéletes műszaki támogatást és végső termékmegoldásokat biztosítsunk a félvezetőipar számára, kérjük, vegye fel velünk a kapcsolatot.

Kérdés küldése

termékleírás

VeTek Semiconductor, Kína egyik vezető gyártója és beszállítója, számos termék gyártására specializálódott, beleértveSiC bevonatú tartógyűrűk, CVD szilícium-karbid bevonatok, tantál-karbid bevonatok, ömlesztett SiC, SiC porok és nagy tisztaságú SiC anyagok. Elkötelezettségünk abban rejlik, hogy átfogó műszaki segítséget és optimális termékmegoldásokat kínáljunk a félvezető szektorra szabva. Bővebb információért és segítségért forduljon hozzánk bizalommal.

VeTek Semiconductor'sSiC bevonatú tartógyűrűka magas hőmérsékletnek ellenálló anyagok új generációja. Korrózióálló bevonatokként, oxidációálló bevonatokként és kopásálló bevonatokként 1650 ℃ feletti környezetben használhatók, és széles körben használják a félvezető területeken.

A kiváló minőségű jellemzőiSiC bevonatú tartógyűrűknagyon fontos szerepet játszanak a harmadik generációs félvezető alkatrészek epitaxiális növekedésében.

A hőmérséklet egyenletességének megőrzése: A SiC bevonatú tartógyűrűk kiváló hővezető képességgel rendelkeznek, és egyenletes hőmérséklet-eloszlást biztosítanak az epitaxiális növekedés során. Ez segít csökkenteni az ostya felületén a termikus gradienseket és feszültségeket, ezáltal javítja az epitaxiális réteg minőségét.

Extrém kémiai stabilitás: Az epitaxiális növekedési folyamat során,SiC bevonatú tartógyűrűkképesek ellenállni a reakciógázok kémiai támadásainak, meghosszabbítva a tartógyűrűk élettartamát és megőrizve a folyamat integritását. Ez a kémiai stabilitás segít csökkenteni a szennyeződés kockázatát, és javítja a félvezető eszközök tisztaságát és teljesítményét.

Precíz pozicionálás: A SiC bevonatú tartógyűrűk képesek megtartani az ostya pontos pozicionálását, ami kritikus fontosságú az egyenletes réteglerakódás eléréséhez. Ez a pontos pozicionálás segít biztosítani az epitaxiális réteg vastagságának és minőségének egyenletességét.

A CVD SiC bevonat alapvető fizikai tulajdonságai: