A CVD SiC bevonatok gyártásában szerzett szakértelmünkkel a VeTek Semiconductor büszkén mutatja be az Aixtron SiC Coating Collector Bottom terméket. Ezek a SiC Coating Collector Bottom nagy tisztaságú grafitból készültek, és CVD SiC-vel vannak bevonva, így biztosítva az 5 ppm alatti szennyeződést. Bővebb információval és kérdéssel forduljon hozzánk bizalommal.
A VeTek Semiconductor gyártó elkötelezett amellett, hogy kiváló minőségű CVD TaC bevonatot és CVD SiC bevonatgyűjtő alját biztosítson, és szorosan együttműködjön az Aixtron berendezéssel, hogy megfeleljen ügyfeleink igényeinek. Legyen szó folyamatoptimalizálásról vagy új termékfejlesztésről, készek vagyunk technikai támogatást nyújtani, és válaszolunk minden kérdésére.
Aixtron SiC Coating Collector Top, Collector Center és SiC Coating Collector Bottom termékek. Ezek a termékek a fejlett félvezető-gyártási folyamatok egyik kulcsfontosságú összetevői.
Az Aixtron SiC bevonatú Collector Top, Collector Center és Collector Bottom kombinációja az Aixtron berendezésben a következő fontos szerepeket tölti be:
Hőkezelés: Ezek az alkatrészek kiváló hővezető képességgel rendelkeznek, és képesek hatékonyan vezetni a hőt. A hőkezelés kulcsfontosságú a félvezetőgyártásban. A Collector Top, a Collector Center és a Szilícium-karbid bevonatú Collector Bottom SiC bevonatok segítenek hatékonyan eltávolítani a hőt, fenntartani a megfelelő folyamathőmérsékletet, és javítani a berendezések hőkezelését.
Kémiai tehetetlenség és korrózióállóság: Az Aixtron SiC bevonatú Collector Top, Collector Center és SiC Collector Bottom bevonat kiváló kémiai tehetetlenséggel rendelkezik, és ellenáll a kémiai korróziónak és oxidációnak. Ez lehetővé teszi számukra, hogy hosszú ideig stabilan működjenek kemény kémiai környezetben, megbízható védőréteget biztosítva és meghosszabbítva az alkatrészek élettartamát.
Az elektronsugaras (EB) elpárologtatási folyamat támogatása: Ezeket az alkatrészeket az Aixtron berendezésekben használják az elektronsugaras elpárologtatási folyamat támogatására. A Collector Top, a Collector Center és a SiC Coating Collector Bottom kialakítása és anyagválasztása elősegíti az egyenletes filmlerakódást, és stabil szubsztrátumot biztosít a film minőségének és konzisztenciájának biztosítása érdekében.
A fóliatermesztési környezet optimalizálása: A Collector Top, a Collector Center és a SiC Coating Collector Bottom optimalizálja a fóliatermesztési környezetet az Aixtron berendezésben. A bevonat kémiai tehetetlensége és hővezető képessége segít csökkenteni a szennyeződéseket és hibákat, valamint javítja a film kristályminőségét és konzisztenciáját.
Az Aixtron SiC bevonatú Collector Top, Collector Center és SiC Coating Collector Bottom használatával hőkezelés és vegyi védelem érhető el a félvezető gyártási folyamatokban, optimalizálható a film növekedési környezete, javítható a film minősége és konzisztenciája. Ezen komponensek kombinációja az Aixtron berendezésben stabil folyamatkörülményeket és hatékony félvezetőgyártást biztosít.
A CVD SiC bevonat alapvető fizikai tulajdonságai | |
Ingatlan | Tipikus érték |
Kristályos szerkezet | FCC β fázisú polikristályos, főleg (111) orientált |
Sűrűség | 3,21 g/cm³ |
Keménység | 2500 Vickers keménység (500 g terhelés) |
Szemcseméret | 2~10μm |
Kémiai tisztaság | 99,99995% |
Hőkapacitás | 640 J·kg-1·K-1 |
Szublimációs hőmérséklet | 2700 ℃ |
Hajlító szilárdság | 415 MPa RT 4 pontos |
Young's Modulus | 430 Gpa 4pt kanyar, 1300 ℃ |
Hővezető | 300W·m-1·K-1 |
Hőtágulás (CTE) | 4,5×10-6K-1 |