SiC Coating Collector Center

A VeTek Semiconductor SiC Coating Collector Center fontos szerepet játszik a Semiconductor EPI eljárás gyártásában. Ez az egyik kulcsfontosságú komponens, amelyet az epitaxiális reakciókamrában a gázelosztáshoz és -szabályozáshoz használnak. Üdvözöljük, érdeklődjön gyárunkban a SiC bevonatról és a TaC bevonatról.

A SiC Coating Collector Center szerepe a következő:

Gázelosztás: A SiC Coating Collector Center különböző gázok bejuttatására szolgál az epitaxiális reakciókamrába. Több bemenettel és kimenettel rendelkezik, amelyek különböző gázokat tudnak elosztani a kívánt helyekre, hogy kielégítsék a speciális epitaxiális növekedési igényeket.

Gázszabályozás: A SiC Coating Collector Center minden gáz pontos szabályozását éri el szelepeken és áramlásszabályozó eszközökön keresztül. Ez a pontos gázszabályozás elengedhetetlen az epitaxiális növekedési folyamat sikeréhez, a kívánt gázkoncentráció és áramlási sebesség eléréséhez, biztosítva a film minőségét és konzisztenciáját.

Egyenletesség: A központi gázgyűjtő gyűrű kialakítása és elrendezése elősegíti a gáz egyenletes eloszlását. Az ésszerű gázáramlási útvonalon és az eloszlási módokon keresztül a gáz egyenletesen keveredik az epitaxiális reakciókamrában, hogy a film egyenletes növekedését érje el.

Az epitaxiális termékek gyártásában a SiC Coating Collector Center kulcsszerepet játszik a film minőségében, vastagságában és egyenletességében. A megfelelő gázelosztás és szabályozás révén a SiC Coating Collector Center biztosítja az epitaxiális növekedési folyamat stabilitását és konzisztenciáját, így kiváló minőségű epitaxiális filmeket kaphat.

A grafitgyűjtő központhoz képest a SiC Collector Center jobb hővezető képességgel, fokozott vegyi inertséggel és kiváló korrózióállósággal rendelkezik. A szilícium-karbid bevonat jelentősen javítja a grafitanyag hőkezelési képességét, ami jobb hőmérséklet-egyenletességet és egyenletes filmnövekedést eredményez az epitaxiális folyamatokban. Ezenkívül a bevonat védőréteget képez, amely ellenáll a kémiai korróziónak, meghosszabbítva a grafit alkatrészek élettartamát. Összességében a szilícium-karbid bevonatú grafit anyag kiváló hővezető képességet, kémiai tehetetlenséget és korrózióállóságot kínál, így fokozott stabilitást és kiváló minőségű filmnövekedést biztosít az epitaxiális folyamatokban.

A CVD SiC bevonat alapvető fizikai tulajdonságai:

Ipari lánc:

Gyártóüzlet