Üdvözöljük a VeTek Semiconductornál, a CVD SiC bevonatok megbízható gyártójában. Büszkék vagyunk az Aixtron SiC Coating Collector Top kínálatára, amelyeket szakszerűen terveztek nagy tisztaságú grafit felhasználásával, és a legmodernebb CVD SiC bevonattal rendelkeznek, 5 ppm alatti szennyeződéssel. Bármilyen kérdéssel vagy kérdéssel forduljon hozzánk bizalommal
A TaC bevonat és SiC bevonat gyártásában szerzett sokéves tapasztalattal a VeTek Semiconductor SiC bevonat kollektor tetejének, kollektorközpontjának és kollektorfenekének széles választékát tudja szállítani az Aixtron rendszerhez. A kiváló minőségű SiC Coating Collector Top számos alkalmazásnak megfelel, ha szüksége van rá, kérjük, vegye igénybe online, időben elérhető SiC Coating Collector Top szolgáltatásunkat. Az alábbi terméklistán kívül saját, egyedi SiC Coating Collector Top-ját is személyre szabhatja egyedi igényei szerint.
A SiC bevonat kollektor teteje, SiC bevonat kollektor központja és SiC bevonat kollektor alja a félvezető gyártási folyamatban használt három alapvető összetevő. Beszéljünk minden egyes termékről külön:
A VeTek Semiconductor SiC Coating Collector Top döntő szerepet játszik a félvezető leválasztási folyamatban. A lerakott anyag tartószerkezeteként működik, segít megőrizni az egyenletességet és a stabilitást a lerakás során. Segíti a hőkezelést is, hatékonyan elvezeti a folyamat során keletkező hőt. A kollektor teteje biztosítja a lerakott anyag helyes elrendezését és eloszlását, ami kiváló minőségű és egyenletes filmnövekedést eredményez.
A SiC bevonat a kollektor tetején, a kollektor közepén és a kollektor alján jelentősen javítja teljesítményüket és tartósságukat. A SiC (szilícium-karbid) bevonat kiváló hővezető képességéről, kémiai tehetetlenségéről és korrózióállóságáról ismert. A kollektor tetején, közepén és alján található SiC bevonat kiváló hőkezelési képességet biztosít, hatékony hőelvezetést és optimális folyamathőmérséklet fenntartását. Kiváló vegyszerállósággal is rendelkezik, védi az alkatrészeket a korrozív környezettől és meghosszabbítja azok élettartamát. A SiC bevonatok tulajdonságai hozzájárulnak a félvezetőgyártási folyamatok stabilitásának javításához, a hibák csökkentéséhez és a film minőségének javításához.
A CVD SiC bevonat alapvető fizikai tulajdonságai | |
Ingatlan | Tipikus érték |
Kristályos szerkezet | FCC β fázisú polikristályos, főleg (111) orientált |
Sűrűség | 3,21 g/cm³ |
Keménység | 2500 Vickers keménység (500 g terhelés) |
Szemcseméret | 2~10μm |
Kémiai tisztaság | 99,99995% |
Hőkapacitás | 640 J·kg-1·K-1 |
Szublimációs hőmérséklet | 2700 ℃ |
Hajlító szilárdság | 415 MPa RT 4 pontos |
Young's Modulus | 430 Gpa 4pt kanyar, 1300 ℃ |
Hővezető | 300W·m-1·K-1 |
Hőtágulás (CTE) | 4,5×10-6K-1 |