SiC bevonatú szuszceptor

A Vetek Semiconductor a CVD SiC bevonat és a CVD TaC bevonat kutatására, fejlesztésére és iparosítására összpontosít. Példaként a SiC bevonatú szuszceptort tekintve a termék nagymértékben megmunkált nagy pontosságú, sűrű CVD SIC bevonattal, magas hőmérséklettel és erős korrózióállósággal. Szívesen fogadjuk a velünk kapcsolatos érdeklődést.

Kérdés küldése

termékleírás

Biztos lehet benne, hogy SiC bevonatú szuszceptort vásárol gyárunkból.

A CVD SiC bevonat gyártójaként a VeTek Semiconductor nagy tisztaságú grafitból és SiC bevonatú szuszceptorokat szeretne kínálni Önnek (5 ppm alatt). Üdvözöljük, érdeklődjön tőlünk.

A Vetek Semiconductornál technológiai kutatásra, fejlesztésre és gyártásra szakosodunk, és fejlett termékeket kínálunk az ipar számára. Fő termékcsaládunk CVD SiC bevonat + nagy tisztaságú grafit, SiC bevonat szuszceptor, félvezető kvarc, CVD TaC bevonat + nagy tisztaságú grafit, merev filc és egyéb anyagok.

Az egyik zászlóshajó termékünk a SiC Coating Susceptor, amelyet innovatív technológiával fejlesztettek ki, hogy megfeleljen az epitaxiális lapkagyártás szigorú követelményeinek. Az epitaxiális lapkáknak szűk hullámhossz-eloszlást és alacsony felületi hibaszintet kell mutatniuk, így SiC bevonat szuszceptorunk elengedhetetlen összetevője e döntő paraméterek elérésében.

SiC bevonatú szuszceptorunk előnyei:

Alapanyagvédelem: A CVD SiC bevonat védőrétegként működik az epitaxiális folyamat során, hatékonyan védve az alapanyagot az eróziótól és a külső környezet okozta károsodásoktól. Ez a védelmi intézkedés nagymértékben meghosszabbítja a berendezés élettartamát.

Kiváló hővezető képesség: CVD SiC bevonatunk kiemelkedő hővezető képességgel rendelkezik, hatékonyan továbbítja a hőt az alapanyagról a bevonat felületére. Ez javítja a hőkezelés hatékonyságát az epitaxia során, és optimális működési hőmérsékletet biztosít a berendezés számára.

Jobb filmminőség: A CVD SiC bevonat sima és egyenletes felületet biztosít, ideális alapot teremtve a film növekedéséhez. Csökkenti a rácshibákból eredő hibákat, javítja az epitaxiális film kristályosságát és minőségét, végső soron pedig javítja annak teljesítményét és megbízhatóságát.

Válassza a SiC bevonatú szuszceptorunkat epitaxiális lapkagyártási igényeihez, és élvezze a fokozott védelmet, a kiváló hővezető képességet és a jobb filmminőséget. Bízzon a VeTek Semiconductor innovatív megoldásaiban, hogy sikereket érjen el a félvezetőiparban.

A CVD SiC bevonat alapvető fizikai tulajdonságai:

A CVD SiC bevonat alapvető fizikai tulajdonságai
Ingatlan	Tipikus érték
Kristályos szerkezet	FCC β fázisú polikristályos, főleg (111) orientált
Sűrűség	3,21 g/cm³
Keménység	2500 Vickers keménység (500 g terhelés)
Szemcseméret	2~10μm
Kémiai tisztaság	99,99995%
Hőkapacitás	640 J·kg-1·K-1
Szublimációs hőmérséklet	2700 ℃
Hajlító szilárdság	415 MPa RT 4 pontos
Young's Modulus	430 Gpa 4pt kanyar, 1300 ℃
Hővezető	300W·m-1·K-1
Hőtágulás (CTE)	4,5×10-6K-1