A VeTek Semiconductor a SiN Substrate termékek vezető gyártója és szállítója Kínában. A szilícium-nitrid hordozónk kiváló hővezető képességgel, kiváló kémiai stabilitással és korrózióállósággal, valamint kiváló szilárdsággal rendelkezik, így nagy teljesítményű anyag félvezető alkalmazásokhoz. A VeTekSemi SiN szubsztrát biztosítja, hogy Ön részesüljön a félvezető-feldolgozás területén a legkorszerűbb technológiából, a szigorú minőségellenőrzésből, és üdvözli további konzultációját.
A VeTek Semiconductor SiN hordozó egy fejlettkerámia anyagamely kiváló mechanikai, elektromos és termikus tulajdonságai miatt széles körben felkeltette a figyelmet. Ez a kerámiaszubsztrátszilícium és nitrogén atomokból készül, amelyek egy speciális kristályszerkezeten keresztül kötődnek össze, és egyedülálló szilárdságot, tartósságot és hőállóságot mutatnak. A SiN szubsztrátok nélkülözhetetlenek a nagy teljesítményű alkalmazásokban, például a félvezető eszközökben, tulajdonságaik jelentősen javítják az integrált áramkörök (IC-k), érzékelők és érzékelők hatékonyságát és megbízhatóságát.mikroelektromechanikai rendszerek (MEMS).
A SiN szubsztrátumok termékjellemzői:
Kiváló hővezető képesség: A hőkezelés fontos szerepet játszik a félvezető eszközök teljesítményében. A SiN kerámialemez hővezető képessége eléri a 130 W/m·K-t, amely hatékonyan képes elvezetni a hőt az elektronikus alkatrészekből, és megakadályozza a túlmelegedést, ezáltal meghosszabbítja a berendezés élettartamát.
Kémiai stabilitás és korrózióállóság: A szilícium-nitrid rendkívül erősen ellenáll a kémiai korróziónak, és különösen alkalmas vegyszereknek vagy szélsőséges hőmérsékletnek kitett környezetben való használatra. A SiN szubsztrátumok még korrozív gázokkal, savakkal és lúgokkal rendelkező környezetben is megőrzik szerkezeti integritásukat, így biztosítva a hosszú távú megbízhatóságot az ipari alkalmazásokban.
Magas hőütésállóság: A SiN aljzatok 1200°C-ig ellenállnak a gyors hőmérsékletváltozásoknak hősokk vagy repedés nélkül. Ez a tulajdonság kritikus fontosságú az olyan területeken, mint a teljesítményelektronika és a magas hőmérsékletű érzékelők, amelyek gyakran kihívást jelentenek a hirtelen hőmérséklet-változások miatt.
Nagy szilárdság és szívósság: Más kerámia anyagokhoz képest a nyomószilárdsága aSiN kerámia hordozóelérheti a 600 MPa-t, kiváló szívósságot mutatva. Ez lehetővé teszi, hogy hatékonyan ellenálljon a repedésnek, és megőrizze szerkezeti integritását a nagy feszültségű és precíziós feldolgozású félvezető eljárásokban, biztosítva a mechanikai stabilitást.
A szilícium/szilícium-nitrid (Si/SiN) TEM gyártásának áttekintése
A VeTek Semiconductor Silicon Nitride (SiN) szubsztrát kiváló terméktulajdonságai miatt kulcsfontosságú anyaggá vált a félvezetőiparban és más területeken is. Különösen a félvezető eszközök, a MEMS, az optoelektronika és a teljesítményelektronika területén a SiN szubsztrátok fontos sarokkövei a jövő elektronikai technológiájának fejlődésének.
VeTekSemi SiN szubsztrát termékboltok: