CVD TaC bevonatú ostyahordozó

Professzionális CVD TaC Coating Wafer Carrier termékgyártóként és kínai gyárként a VeTek Semiconductor CVD TaC Coating Wafer Carrier egy lapkahordozó eszköz, amelyet kifejezetten magas hőmérsékletű és korrozív környezetekhez terveztek a félvezetőgyártásban. Ez a termék nagy mechanikai szilárdsággal, kiváló korrózióállósággal és termikus stabilitással rendelkezik, amely biztosítja a szükséges garanciát a kiváló minőségű félvezető eszközök gyártásához. További kérdéseit szívesen fogadjuk.

Kérdés küldése

termékleírás

A félvezető gyártási folyamat során a VeTek Semiconductor'sCVD TaC bevonatú ostyahordozóostyák szállítására használt tálca. Ez a termék kémiai gőzfázisú leválasztási (CVD) eljárást alkalmaz egy réteg TaC bevonat bevonására aWafer Carrier hordozó. Ez a bevonat jelentősen javíthatja az ostyahordozó oxidáció- és korrózióállóságát, miközben csökkenti a részecskék szennyeződését a feldolgozás során. Fontos eleme a félvezető feldolgozásnak.

VeTek Semiconductor’sCVD TaC bevonatú ostyahordozószubsztrátumból és atantál-karbid (TaC) bevonat.

A tantál-karbid bevonatok vastagsága jellemzően a 30 mikron tartományba esik, a TaC olvadáspontja pedig eléri a 3880 °C-ot, miközben kiváló korrózió- és kopásállóságot biztosít többek között.

A Carrier alapanyaga nagy tisztaságú grafit illszilícium-karbid (SiC), majd egy TaC-réteget (Knoop keménység 2000HK-ig) bevonnak a felületre CVD eljárással, hogy javítsák a korrózióállóságot és a mechanikai szilárdságot.

VeTek Semiconductor's CVD TaC Coating Wafer Carrier általábana következő szerepeket tölti be az ostya szállítási folyamata során:

Ostya betöltés és rögzítés: A tantál-karbid Knoop-keménysége eléri a 2000HK-t, ami hatékonyan biztosítja az ostya stabil megtámasztását a reakciókamrában. A TaC jó hővezető képességével (a hővezetési tényező kb. 21 W/mK) kombinálva képes az ostya felületének egyenletes felmelegedésére és egyenletes hőmérséklet-eloszlásra, ami elősegíti az epitaxiális réteg egyenletes növekedését.

Csökkentse a részecskék szennyeződését: A CVD TaC bevonatok sima felülete és nagy keménysége segít csökkenteni a súrlódást a hordozó és az ostya között, ezáltal csökkenti a részecskék szennyeződésének kockázatát, ami kulcsfontosságú a jó minőségű félvezető eszközök gyártásához.

Stabilitás magas hőmérsékleten: A félvezető feldolgozás során a tényleges üzemi hőmérséklet jellemzően 1200°C és 1600°C között van, a TaC bevonatok olvadáspontja pedig akár 3880°C is lehet. Alacsony hőtágulási együtthatójával (a hőtágulási együttható körülbelül 6,3 × 10⁻⁶/°C) a hordozó megőrzi mechanikai szilárdságát és méretstabilitását magas hőmérsékleti körülmények között, így megakadályozza az ostya megrepedését vagy deformálódását a feldolgozás során.

Tantál-karbid (TaC) bevonat mikroszkopikus keresztmetszeten:

Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section 1

A CVD TaC bevonat alapvető fizikai tulajdonságai：

A TaC bevonat fizikai tulajdonságai
Sűrűség	14,3 (g/cm³)
Fajlagos emissziós tényező	0.3
Hőtágulási együttható	6,3*10-6/K
Keménység (HK)	2000 HK
Ellenállás	1×10-5 Ohm*cm
Hőstabilitás	<2500 ℃
A grafit mérete megváltozik	-10-20um
Bevonat vastagsága	≥20um tipikus érték (35um±10um)