Nagy tisztaságú CVD SiC alapanyag

A CVD által készített nagy tisztaságú CVD SiC nyersanyag a legjobb alapanyag a szilícium-karbid kristályok fizikai gőzszállítással történő növesztéséhez. A VeTek Semiconductor által szállított nagy tisztaságú CVD SiC nyersanyag sűrűsége nagyobb, mint a Si és C tartalmú gázok spontán égése során keletkező apró részecskéké, és nem igényel külön szinterező kemencét, párolgási sebessége pedig közel állandó. Rendkívül jó minőségű SiC egykristályokat növeszthet. Várom érdeklődését.

Kérdés küldése

termékleírás

VeTek Semiconductor has developed a newSiC egykristály alapanyag- Nagy tisztaságú CVD SiC alapanyag. Ez a termék a hazai űrt pótolja, és globálisan is vezető szinten áll, és hosszú távon is vezető pozícióban lesz a versenyben. A hagyományos szilícium-karbid alapanyagokat nagy tisztaságú szilícium ésgrafit, amelyek költsége magas, tisztasága alacsony és mérete kicsi.

A VeTek Semiconductor fluidágyas technológiája metil-triklór-szilánt használ szilícium-karbid nyersanyagok előállítására kémiai gőzleválasztással, a fő melléktermék pedig a sósav. A sósav lúggal semlegesítve sókat képezhet, és nem okoz semmilyen környezetszennyezést. Ugyanakkor a metil-triklór-szilán széles körben használt ipari gáz alacsony költséggel és széles forrásokkal, különösen Kína a metil-triklór-szilán fő gyártója. Ezért a VeTek Semiconductor nagy tisztaságú CVD SiC nyersanyaga nemzetközileg vezető versenyképességgel rendelkezik a költségek és a minőség tekintetében. A nagy tisztaságú CVD SiC nyersanyag tisztasága magasabb, mint99,9995%.

A nagy tisztaságú CVD SiC nyersanyag előnyei

High purity CVD SiC raw materials

● Nagy méret és nagy sűrűség

Az átlagos részecskeméret körülbelül 4-10 mm, a hazai Acheson alapanyagok szemcsemérete pedig <2,5 mm. Egyazon térfogatú tégely több mint 1,5 kg nyersanyag befogadására alkalmas, ami elősegíti a nagyméretű kristálynövekedési anyagok elégtelen ellátásának problémáját, enyhíti a nyersanyagok grafitosítását, csökkenti a szén-burkolást és javítja a kristályminőséget.

●Alacsony Si/C arány

Ez közelebb áll az 1:1-hez, mint az önszaporító módszer Acheson alapanyagai, amelyek csökkenthetik a Si parciális nyomás növekedéséből adódó hibákat.

●Magas kimeneti érték

A megtermelt nyersanyagok továbbra is fenntartják a prototípust, csökkentik az átkristályosodást, csökkentik az alapanyagok grafitosítását, csökkentik a szén-csomagolás hibáit, és javítják a kristályok minőségét.

● Magasabb tisztaságú

A CVD-módszerrel előállított alapanyagok tisztasága magasabb, mint az önszaporító módszer Acheson-alapanyagaié. A nitrogéntartalom további tisztítás nélkül elérte a 0,09 ppm-et. Ez az alapanyag a félszigetelő területen is fontos szerepet tölthet be.

● Alacsonyabb költség

Az egységes párolgási sebesség megkönnyíti a folyamat- és termékminőség-ellenőrzést, miközben javítja az alapanyagok felhasználási arányát (felhasználási arány >50%, 4,5 kg alapanyagból 3,5 kg tuskó keletkezik), csökkentve a költségeket.

●Alacsony emberi hibaarány

A kémiai gőzlerakódás elkerüli az emberi működés által bejutott szennyeződéseket.

A nagy tisztaságú CVD SiC nyersanyag egy új generációs termék, amelyet helyettesítésre használnakSiC por SiC egykristályok növesztéséhez. A termesztett SiC egykristályok minősége rendkívül magas. Jelenleg a VeTek Semiconductor teljesen elsajátította ezt a technológiát. Ezt a terméket pedig már nagyon kedvező áron tudja a piacra szállítani.