Előmelegítő gyűrű

A VeTek Semiconductor a kínai SiC bevonatgyártó újítója. A VeTek Semiconductor által biztosított előmelegítő gyűrűt az epitaxiás folyamathoz tervezték. Az egységes szilícium-karbid bevonat és a csúcsminőségű grafit alapanyag, mint nyersanyag biztosítja a konzisztens lerakódást, és javítja az epitaxiális réteg minőségét és egyenletességét. Örömmel várjuk, hogy hosszú távú együttműködést alakítsunk ki Önnel.

Kérdés küldése

termékleírás

A Pre-Heat Ring egy kulcsfontosságú berendezés, amelyet kifejezetten a félvezetőgyártás epitaxiális (EPI) folyamatához terveztek. Az EPI folyamat előtti ostyák előmelegítésére szolgál, biztosítva a hőmérséklet stabilitását és egyenletességét az epitaxiális növekedés során.

A VeTek Semiconductor által gyártott EPI előmelegítő gyűrűnk számos figyelemre méltó tulajdonsággal és előnnyel rendelkezik. Először is, nagy hővezető képességű anyagok felhasználásával készült, ami lehetővé teszi a gyors és egyenletes hőátadást az ostya felületére. Ez megakadályozza a forró pontok és a hőmérsékleti gradiensek kialakulását, biztosítva a konzisztens lerakódást és javítva az epitaxiális réteg minőségét és egyenletességét.

Ezenkívül az EPI előmelegítő gyűrűnk fejlett hőmérséklet-szabályozó rendszerrel van felszerelve, amely lehetővé teszi az előmelegítési hőmérséklet pontos és következetes szabályozását. Ez a szabályozási szint növeli az olyan kulcsfontosságú lépések pontosságát és megismételhetőségét, mint a kristálynövekedés, az anyaglerakódás és az interfészreakciók az EPI folyamat során.

A tartósság és a megbízhatóság lényeges szempont terméktervezésünkben. Az EPI előmelegítő gyűrűt úgy építették, hogy ellenálljon a magas hőmérsékletnek és az üzemi nyomásnak, megőrizve a stabilitást és a teljesítményt hosszú ideig. Ez a tervezési megközelítés csökkenti a karbantartási és csereköltségeket, hosszú távú megbízhatóságot és működési hatékonyságot biztosítva.

Az EPI előmelegítő gyűrű telepítése és kezelése egyszerű, mivel kompatibilis a szokásos EPI berendezésekkel. Felhasználóbarát ostyaelhelyezési és -kivételi mechanizmussal rendelkezik, ami növeli a kényelmet és a működési hatékonyságot.

A VeTek Semiconductornál testreszabási szolgáltatásokat is kínálunk az ügyfelek egyedi igényeinek kielégítésére. Ez magában foglalja az EPI előmelegítő gyűrű méretének, alakjának és hőmérsékleti tartományának az egyedi gyártási igényekhez való igazítását.

Az epitaxiális növekedéssel és félvezető eszközök gyártásával foglalkozó kutatók és gyártók számára a VeTek Semiconductor EPI Pre Heat Ring kivételes teljesítményt és megbízható támogatást nyújt. Kritikus eszközként szolgál a kiváló minőségű epitaxiális növekedés eléréséhez és a félvezető eszközök hatékony gyártási folyamatainak megkönnyítéséhez.

A CVD SiC bevonat alapvető fizikai tulajdonságai:

A CVD SiC bevonat alapvető fizikai tulajdonságai
Ingatlan	Tipikus érték
Kristályos szerkezet	FCC β fázisú polikristályos, főleg (111) orientált
Sűrűség	3,21 g/cm³
Keménység	2500 Vickers keménység (500 g terhelés)
Szemcseméret	2~10μm
Kémiai tisztaság	99.99995%
Hőkapacitás	640 J·kg-1·K-1
Szublimációs hőmérséklet	2700 ℃
Hajlító szilárdság	415 MPa RT 4 pontos
Young's Modulus	430 Gpa 4pt kanyar, 1300 ℃
Hővezető	300W·m-1·K-1
Hőtágulás (CTE)	4,5×10-6K-1