SiC bevonatú ostyatartó

A VeTek Semiconductor SiC bevonatú szelettartóját általában ostyák rögzítésére és alátámasztására használják a félvezető feldolgozás során. Ez egy nagy teljesítményűostyahordozószéles körben használják a félvezetőgyártásban. Szilícium-karbid (SiC) réteg bevonásával a felületreszubsztrát, a termék hatékonyan megakadályozhatja a hordozó korrózióját, és javíthatja az ostyahordozó korrózióállóságát és mechanikai szilárdságát, biztosítva a feldolgozási folyamat stabilitását és pontosságát.

SiC bevonatú ostyatartóáltalában ostyák rögzítésére és alátámasztására használják a félvezető feldolgozás során. Ez egy nagy teljesítményű ostyahordozó, amelyet széles körben használnak a félvezetőgyártásban. Egy réteg bevonásávalszilícium-karbid (SiC)a hordozó felületén a termék hatékonyan megakadályozza a hordozó korrózióját, és javítja az ostyahordozó korrózióállóságát és mechanikai szilárdságát, biztosítva a feldolgozási folyamat stabilitását és pontosságát.

A szilícium-karbid (SiC) olvadáspontja körülbelül 2730 °C, és kiváló hővezető képessége körülbelül 120–180 W/m·K. Ez a tulajdonság gyorsan elvezeti a hőt a magas hőmérsékletű folyamatokban, és megakadályozza a túlmelegedést az ostya és a hordozó között. Ezért a SiC Coated Wafer Holder általában szilícium-karbiddal (SiC) bevont grafitot használ szubsztrátumként.

A szilícium-karbid rendkívül magas keménységével (körülbelül 2500 HV Vickers-keménység) kombinálva a CVD-eljárással felvitt szilícium-karbid (SiC) bevonat sűrű és erős védőbevonatot képezhet, ami nagymértékben javítja a SiC bevonatú ostyatartó kopásállóságát. .

A VeTek Semiconductor SiC bevonatú ostyatartója SiC bevonatú grafitból készül, és a modern félvezető epitaxiás eljárások nélkülözhetetlen kulcseleme. Ügyesen ötvözi a grafit kiváló hővezető képességét (a hővezető képesség szobahőmérsékleten kb. 100-400 W/m·K) és a mechanikai szilárdságát, valamint a szilícium-karbid kiváló kémiai korrózióállóságát és hőstabilitását (a SiC olvadáspontja kb. 2730°C), tökéletesen megfelel a mai csúcskategóriás félvezetőgyártási környezet szigorú követelményeinek.

Ez az egylapos kialakítású tartó pontosan tudja irányítani aepitaxiális folyamatparamétereket, ami segít jó minőségű, nagy teljesítményű félvezető eszközök előállításában. Egyedülálló szerkezeti kialakítása biztosítja, hogy az ostyát a leggondosabb és legpontosabban kezeljék a teljes folyamat során, ezáltal biztosítva az epitaxiális réteg kiváló minőségét és javítva a kész félvezető termék teljesítményét.

Kína vezető szerepekéntSiC bevonattalA Wafer Holder gyártója és vezetője, a VeTek Semiconductor testreszabott termékeket és műszaki szolgáltatásokat nyújthat az Ön berendezési és folyamatkövetelményeinek megfelelően.Őszintén reméljük, hogy hosszú távú partnere lehetünk Kínában.

A CVD SiC bevonat alapvető fizikai tulajdonságai:

VeTek Semiconductor SiC bevonatú ostyatartó gyártási üzletek：