SiC tömítő alkatrész

A SiC Sealing Part kulcsszerepet játszik a félvezető feldolgozásban. Kiváló anyagtulajdonságai és megbízható tömítő hatása nemcsak a termelés hatékonyságát javítja, hanem a termék minőségét és biztonságát is biztosítja.

A szilícium-karbid tömítőalkatrész főbb előnyei:

Kiváló korrózióállóság: A fejlett kerámia anyagok közül a VeTeksemi SiC Sealing Part lehet a legjobb korrózióállóság savas és lúgos környezetben. Ez a páratlan korrózióállóság biztosítja, hogy a SiC Sealing Part hatékonyan működjön kémiailag korrozív környezetben, így nélkülözhetetlen anyaggá válik azokban az iparágakban, amelyek gyakran vannak kitéve korrozív anyagoknak.

Könnyű és erős: A szilícium-karbid sűrűsége körülbelül 3,2 g/cm³, és annak ellenére, hogy könnyű kerámiaanyag, a szilícium-karbid szilárdsága a gyémántokéhoz hasonlítható. A könnyűség és szilárdság ezen kombinációja javítja a mechanikai alkatrészek teljesítményét, ezáltal növeli a hatékonyságot és csökkenti a kopást az igényes ipari alkalmazásokban. A SiC Sealing Part könnyű jellege megkönnyíti az alkatrészek könnyebb kezelését és beszerelését is.

Rendkívül nagy keménység és magas hővezető képesség: A szilícium-karbid Mohs-keménysége 9-10, a gyémánthoz hasonlítható. Ez a tulajdonság a magas hővezető képességgel (körülbelül 120-200 W/m·K szobahőmérsékleten) kombinálva lehetővé teszi, hogy a SiC tömítések olyan körülmények között működjenek, amelyek károsítanák az alacsonyabb minőségű anyagokat. A SiC kiváló mechanikai tulajdonságai 1600°C-ig megmaradnak, így a SiC tömítések robusztusak és megbízhatóak maradnak még magas hőmérsékletű alkalmazásoknál is.

Magas keménység és kopásállóság: A szilícium-karbidot erős kovalens kötések jellemzik a kristályrácson belül, ami nagy keménységet és jelentős rugalmassági modulust eredményez. Ezek a tulajdonságok kiváló kopásállóságot eredményeznek, csökkentve a hajlítás vagy deformáció valószínűségét még hosszú távú használat után is. Ezáltal a SiC kiváló választás a folyamatos mechanikai igénybevételnek és koptató hatásoknak kitett SiC tömítőalkatrészekhez.

Védő szilícium-dioxid réteg kialakulása: Körülbelül 1300°C-os hőmérsékletnek kitéve oxigénben gazdag környezetben a szilícium-karbid védő szilícium-dioxidot (SiO) képez.₂) réteg a felületén. Ez a réteg gátként működik, megakadályozva a további oxidációt és kémiai kölcsönhatásokat. Ahogy a SiO₂megvastagszik, tovább védi az alatta lévő SiC-t az egyéb reakcióktól. Ez az önkorlátozó oxidációs folyamat kiváló vegyszerállóságot és stabilitást biztosít a SiC-nek, így a SiC tömítések alkalmasak reaktív és magas hőmérsékletű környezetben való használatra.

Sokoldalúság a nagy teljesítményű alkalmazásokban:A szilícium-karbid egyedülálló tulajdonságai sokoldalúvá és hatékonysá teszik számos nagy teljesítményű alkalmazásban. A mechanikus tömítésektől és csapágyaktól a hőcserélőkig és turbinaalkatrészekig a SiC Sealing Part szélsőséges körülményeknek ellenálló képessége és integritásának megőrzése a fejlett mérnöki megoldások választott anyagává teszi.

A VeTek Semiconductor elkötelezett amellett, hogy fejlett technológiát és termékmegoldásokat biztosítson a félvezetőipar számára. Ezen kívül SiC termékeink közé tartozik mégSzilícium-karbid bevonat, Szilícium-karbid kerámiaésSiC epitaxiás folyamattermékek. Üdvözöljük további konzultációján.

A CVD SIC FILMKRISTÁLYSZERKEZET SEM ADATAI：