Szilárd SiC lapkahordozó

A VeTek Semiconductor szilárd SiC lapkahordozóját magas hőmérséklet- és korrózióálló környezetekhez tervezték félvezető epitaxiális folyamatokban, és alkalmas minden típusú lapkagyártási folyamathoz, magas tisztasági követelményekkel. A VeTek Semiconductor Kína vezető szelethordozó-szállítója, és alig várja, hogy hosszú távú partnere lehessen a félvezetőiparban.

Kérdés küldése

termékleírás

A szilárd SiC lapkahordozó a félvezető epitaxiális folyamat magas hőmérsékletű, nagy nyomású és korrozív környezetére gyártott alkatrész, és alkalmas különféle nagy tisztasági követelményeket támasztó lapkagyártási folyamatokhoz.

A tömör SiC ostyahordozó lefedi az ostya szélét, védi az ostyát és pontosan pozícionálja azt, biztosítva a kiváló minőségű epitaxiális rétegek növekedését. A SiC anyagokat széles körben használják olyan eljárásokban, mint a folyadékfázisú epitaxia (LPE), kémiai gőzleválasztás (CVD) és fém szerves gőzleválasztás (MOCVD), kiváló hőstabilitásuk, korrózióállóságuk és kiemelkedő hővezető képességük miatt. A VeTek Semiconductor szilárd szilícium-karbamid szelethordozóját több durva környezetben is ellenőrizték, és hatékonyan tudja biztosítani az ostya epitaxiális növekedési folyamatának stabilitását és hatékonyságát.

Vapor-phase epitaxial growth method

Szilárd SiC lapkahordozóTermékjellemzők

● Ultramagas hőmérsékleti stabilitás: A szilárd SiC lapkahordozók 1500°C-ig stabilak maradhatnak, és nem hajlamosak deformációra vagy repedésre.

● Kiváló vegyi korrózióállóság: A nagy tisztaságú szilícium-karbid anyagok használatával ellenáll a különféle vegyszerek korróziójának, beleértve az erős savakat, erős lúgokat és a korrozív gázokat, meghosszabbítva az ostyahordozó élettartamát.

● Magas hővezető képesség: A szilárd SiC lapkahordozók kiváló hővezető képességgel rendelkeznek, és a folyamat során gyorsan és egyenletesen tudják eloszlatni a hőt, segítve az ostya hőmérsékletének stabilitását és javítva az epitaxiális réteg egyenletességét és minőségét.

● Alacsony részecskeképződés: A SiC anyagok természetes alacsony részecskeképző tulajdonsággal rendelkeznek, ami csökkenti a szennyeződés kockázatát, és megfelel a félvezetőipar szigorú követelményeinek a nagy tisztaságra vonatkozóan.

Műszaki adatok:

Paraméter	Leírás
Anyag	Nagy tisztaságú szilárd szilícium-karbid
Alkalmazható ostyaméret	4 hüvelykes, 6 hüvelykes, 8 hüvelykes, 12 hüvelykes (testreszabható)
Maximális hőmérséklet tolerancia	1500°C-ig
Vegyi ellenállás	Sav- és lúgállóság, fluoridos korrózióállóság
Hővezetőképesség	250 W/(m·K)
Részecskeképződési sebesség	Rendkívül alacsony részecskeképződés, nagy tisztasági követelményeknek megfelelő
Testreszabási lehetőségek	A méret, forma és egyéb műszaki paraméterek igény szerint testreszabhatók

Miért válasszaVeTek Semiconductorszilárd SiC lapka szubsztrát hordozógyűrű?

● Megbízhatóság: A végfelhasználók szigorú tesztelése és tényleges ellenőrzése után extrém körülmények között is hosszú távú és stabil támogatást tud nyújtani, és csökkenti a folyamat megszakításának kockázatát.

● Kiváló minőségű anyagok: A legjobb minőségű SiC anyagokból készült, így minden szilárd SiC lapkahordozó megfelel az iparág magas követelményeinek.

● Testreszabási szolgáltatás: Támogatja a több specifikáció és műszaki követelmény testreszabását, hogy megfeleljen az adott folyamat igényeinek.

Ha további információra van szüksége a termékről, vagy rendelni szeretne, kérjük, vegye fel velünk a kapcsolatot. Professzionális tanácsadást és megoldásokat biztosítunk az Ön egyedi igényei alapján, hogy segítsen javítani a termelés hatékonyságát és csökkenteni a karbantartási költségeket.