CVD SiC palacsinta szuszceptor

Kiváló fizikai tulajdonságok

VeTek Semiconductor A CVD SiC Pancake Susceptor a legújabb kémiai gőzleválasztási (CVD) technológiával készül, amely biztosítja a kiváló tartósságot és az extrém hőmérsékleti alkalmazkodóképességet. A fő fizikai tulajdonságai a következők:

● Hőstabilitás: A CVD SiC magas termikus stabilitása stabil teljesítményt biztosít magas hőmérsékleti körülmények között.

● Alacsony hőtágulási együttható: Az anyag rendkívül alacsony hőtágulási együtthatóval rendelkezik, ami minimálisra csökkenti a hőmérsékletváltozások okozta vetemedést és deformációt.

● Kémiai korrózióállóság: Kiváló vegyszerállósága lehetővé teszi, hogy magas teljesítményt tartson fenn különféle durva környezetben.

Precíz alátámasztás és optimalizált hőátadás

A VeTekSemi Pancake Susceptor alapú SiC bevonatát úgy tervezték, hogy befogadja a félvezető lapkákat, és kiváló támogatást nyújtson az epitaxiális lerakódás során. A SiC Pancake Susceptort fejlett számítási szimulációs technológiával tervezték, hogy minimálisra csökkentsék a vetemedést és deformációt különböző hőmérsékleti és nyomásviszonyok mellett. Tipikus hőtágulási együtthatója körülbelül 4,0 × 10^^-6/°C, ami azt jelenti, hogy méretstabilitása lényegesen jobb, mint a hagyományos anyagok magas hőmérsékletű környezetben, ezáltal biztosítva az ostyavastagság (általában 200-300 mm) állandóságát.

Ezenkívül a CVD Pancake Susceptor hőátadásban is kiemelkedő, hővezető képessége akár 120 W/m·K is lehet. Ez a nagy hővezető képesség gyorsan és hatékonyan vezeti a hőt, javítja a hőmérséklet egyenletességét a kemencében, biztosítja az egyenletes hőeloszlást az epitaxiális lerakódás során, és csökkenti az egyenetlen hő okozta lerakódási hibákat. Az optimalizált hőátadási teljesítmény kritikus fontosságú a lerakódás minőségének javítása szempontjából, ami hatékonyan csökkentheti a folyamat ingadozásait és javíthatja a hozamot.

Ezekkel a tervezési és teljesítményoptimalizálásokkal a VeTek Semiconductor CVD SiC Pancake Susceptor szilárd alapot biztosít a félvezetőgyártáshoz, biztosítja a megbízhatóságot és a konzisztenciát kemény feldolgozási körülmények között, és megfelel a modern félvezetőipar szigorú követelményeinek a nagy pontosság és minőség tekintetében.

CVD SIC FILM KRISTÁLYSZERKEZET

A CVD SiC bevonat alapvető fizikai tulajdonságai

A CVD SiC bevonat alapvető fizikai tulajdonságai
Ingatlan	Tipikus érték
Kristályszerkezet	FCC β fázisú polikristályos, főleg (111) orientált
Sűrűség	3,21 g/cm³
Keménység	2500 Vickers keménység (500g terhelés)
szemcseméret	2~10μm
Kémiai tisztaság	99,99995%
Hőkapacitás	640 J·kg-1·K-1
Szublimációs hőmérséklet	2700 ℃
Hajlító szilárdság	415 MPa RT 4 pontos
Young's Modulus	430 Gpa 4pt kanyar, 1300 ℃
Hővezetőképesség	300W·m-1·K-1
Hőtágulás (CTE)	4,5×10-6K-1