Ha az EPI Receiver

A VeTek Semiconductor egy olyan gyár, amely egyesíti a precíziós megmunkálást, valamint a félvezető SiC és TaC bevonási képességeket. A hordó típusú Si Epi Susceptor hőmérséklet- és légkör-szabályozási képességeket biztosít, növelve a termelés hatékonyságát a félvezető epitaxiális növekedési folyamatokban. Várom, hogy együttműködési kapcsolatot alakítsunk ki Önnel.

Kérdés küldése

termékleírás

Az alábbiakban bemutatjuk a kiváló minőségű Si Epi Susceptort, remélve, hogy segít jobban megérteni a hordó típusú Si Epi szuszceptort. Üdvözöljük az új és régi ügyfeleket, hogy továbbra is együttműködjenek velünk egy szebb jövő megteremtése érdekében!

Az epitaxiális reaktor egy speciális eszköz, amelyet a félvezetőgyártás epitaxiális növekedésére használnak. A barrel Type Si Epi Susceptor olyan környezetet biztosít, amely szabályozza a hőmérsékletet, a légkört és más kulcsfontosságú paramétereket, hogy új kristályrétegeket rakhasson le az ostya felületén.

A Barrel Type Si Epi Susceptor fő előnye, hogy képes több chipet egyidejűleg feldolgozni, ami növeli a termelés hatékonyságát. Általában több tartóval vagy bilinccsel rendelkezik több ostya tartásához, így több ostya is termeszthető egy időben ugyanabban a növekedési ciklusban. Ez a nagy teljesítményű funkció csökkenti a gyártási ciklusokat és a költségeket, valamint javítja a termelés hatékonyságát.

Ezenkívül a Barrel Type Si Epi Susceptor optimalizált hőmérséklet- és légkörszabályozást kínál. Fejlett hőmérséklet-szabályozó rendszerrel van felszerelve, amely képes pontosan szabályozni és fenntartani a kívánt növekedési hőmérsékletet. Ugyanakkor jó atmoszféraszabályozást biztosít, biztosítva, hogy minden chip azonos légköri körülmények között nőjön. Ez elősegíti az egyenletes epitaxiális réteg növekedését, és javítja az epitaxiális réteg minőségét és konzisztenciáját.

A Barrel Type Si Epi Susceptorban a chip általában egyenletes hőmérséklet-eloszlást és hőátadást ér el légáram vagy folyadékáramon keresztül. Ez az egyenletes hőmérséklet-eloszlás segít elkerülni a forró pontok és hőmérsékleti gradiensek kialakulását, ezáltal javítja az epitaxiális réteg egyenletességét.

További előnye, hogy a Barrel Type Si Epi Susceptor rugalmasságot és skálázhatóságot biztosít. Különféle epitaxiális anyagokhoz, forgácsméretekhez és növekedési paraméterekhez állítható és optimalizálható. Ez lehetővé teszi a kutatók és mérnökök számára, hogy gyors folyamatfejlesztést és -optimalizálást hajtsanak végre, hogy megfeleljenek a különböző alkalmazások és követelmények epitaxiális növekedési igényeinek.

A CVD SiC bevonat alapvető fizikai tulajdonságai:

A CVD SiC bevonat alapvető fizikai tulajdonságai
Ingatlan	Tipikus érték
Kristályos szerkezet	FCC β fázisú polikristályos, főleg (111) orientált
Sűrűség	3,21 g/cm³
Keménység	2500 Vickers keménység (500 g terhelés)
Szemcseméret	2~10μm
Kémiai tisztaság	99,99995%
Hőkapacitás	640 J·kg-1·K-1
Szublimációs hőmérséklet	2700 ℃
Hajlító szilárdság	415 MPa RT 4 pontos
Young's Modulus	430 Gpa 4pt kanyar, 1300 ℃
Hővezető	300W·m-1·K-1
Hőtágulás (CTE)	4,5×10-6K-1