SiC bevonatú Epi receptor

A szilícium-karbid és tantál-karbid bevonatok vezető hazai gyártójaként a VeTek Semiconductor képes precíziós megmunkálást és egyenletes bevonatot biztosítani a SiC Coated Epi Susceptorhoz, hatékonyan szabályozva a bevonat és a termék tisztaságát 5 ppm alatt. A termék élettartama hasonló az SGL élettartamához. Üdvözöljük érdeklődni tőlünk.

Kérdés küldése

termékleírás

Biztos lehet benne, hogy SiC bevonatú Epi Susceptort vásárol gyárunkból.

A VeTek Semiconductor SiC bevonatú Epi Susceptor az Epitaxial barrel egy speciális eszköz a félvezető epitaxiális növekedési folyamathoz, számos előnnyel:

Hatékony gyártási kapacitás: A SiC bevonatú Epi Susceptor több lapka befogadására képes, lehetővé téve több lapka egyidejű epitaxiális növekedését. Ez a hatékony termelési kapacitás nagymértékben javíthatja a termelés hatékonyságát, és csökkentheti a gyártási ciklusokat és a költségeket.

Optimalizált hőmérséklet-szabályozás: A SiC bevonatú Epi Susceptor fejlett hőmérséklet-szabályozó rendszerrel van felszerelve a kívánt növekedési hőmérséklet pontos szabályozására és fenntartására. A stabil hőmérsékletszabályozás elősegíti az egyenletes epitaxiális réteg növekedését és javítja az epitaxiális réteg minőségét és konzisztenciáját.

Egyenletes légkör-eloszlás: A SiC bevonatú Epi Susceptor egyenletes légköreloszlást biztosít a növekedés során, biztosítva, hogy minden ostya azonos légköri feltételeknek legyen kitéve. Ez segít elkerülni az ostyák közötti növekedési különbségeket, és javítja az epitaxiális réteg egyenletességét.

Hatékony szennyeződés-szabályozás: SiC bevonatú Epi Susceptor kialakítás segít csökkenteni a szennyeződések bejutását és diffúzióját. Jó tömítést és légkörszabályozást biztosít, csökkenti a szennyeződések hatását az epitaxiális réteg minőségére, és ezáltal javítja az eszköz teljesítményét és megbízhatóságát.

Rugalmas folyamatfejlesztés: A SiC Coated Epi Susceptor rugalmas folyamatfejlesztési képességekkel rendelkezik, amelyek lehetővé teszik a növekedési paraméterek gyors beállítását és optimalizálását. Ez lehetővé teszi a kutatók és mérnökök számára, hogy gyors folyamatfejlesztést és -optimalizálást hajtsanak végre, hogy megfeleljenek a különböző alkalmazások és követelmények epitaxiális növekedési igényeinek.

A CVD SiC bevonat alapvető fizikai tulajdonságai:

A CVD SiC bevonat alapvető fizikai tulajdonságai
Ingatlan	Tipikus érték
Kristályos szerkezet	FCC β fázisú polikristályos, főleg (111) orientált
Sűrűség	3,21 g/cm³
Keménység	2500 Vickers keménység (500 g terhelés)
Szemcseméret	2~10μm
Kémiai tisztaság	99,99995%
Hőkapacitás	640 J·kg-1·K-1
Szublimációs hőmérséklet	2700 ℃
Hajlító szilárdság	415 MPa RT 4 pontos
Young's Modulus	430 Gpa 4pt kanyar, 1300 ℃
Hővezető	300W·m-1·K-1
Hőtágulás (CTE)	4,5×10-6K-1