CVD TaC bevonathordozó

A VeTek Semiconductor CVD TaC bevonathordozóját elsősorban a félvezetőgyártás epitaxiális folyamatához tervezték. A CVD TaC Coating hordozó ultramagas olvadáspontja, kiváló korrózióállósága és kiemelkedő termikus stabilitása meghatározza ennek a terméknek a félvezető epitaxiális folyamatában való nélkülözhetetlenségét. Őszintén reméljük, hogy hosszú távú üzleti kapcsolatot építhetünk ki Önnel.

Kérdés küldése

termékleírás

A VeTek Semiconductor egy professzionális vezető kínai CVD TaC bevonathordozó, EPITAXY SUSCEPTOR,TaC bevonatú grafit szuszceptorgyártó.

A folyamatos folyamat- és anyaginnovációs kutatások révén a Vetek Semiconductor CVD TaC bevonathordozója nagyon kritikus szerepet játszik az epitaxiális folyamatban, főként a következő szempontokkal:

Aljzatvédelem: A CVD TaC bevonathordozó kiváló kémiai stabilitást és termikus stabilitást biztosít, hatékonyan megakadályozza, hogy a magas hőmérsékletű és korrozív gázok erodálják a szubsztrátumot és a reaktor belső falát, biztosítva a folyamat környezetének tisztaságát és stabilitását.

Termikus egyenletesség: A CVD TaC bevonathordozó magas hővezető képességével kombinálva biztosítja a hőmérséklet-eloszlás egyenletességét a reaktoron belül, optimalizálja az epitaxiális réteg kristályminőségét és vastagságának egyenletességét, valamint javítja a végtermék teljesítmény-konzisztenciáját.

Részecskeszennyeződés ellenőrzése: Mivel a CVD TaC bevonatú hordozók rendkívül alacsony részecskeképződéssel rendelkeznek, a sima felület tulajdonságai jelentősen csökkentik a részecskék szennyeződésének kockázatát, ezáltal javítva a tisztaságot és a hozamot az epitaxiális növekedés során.

A berendezés meghosszabbított élettartama: A CVD TaC bevonathordozó kiváló kopásállóságával és korrózióállóságával kombinálva jelentősen meghosszabbítja a reakciókamra alkatrészeinek élettartamát, csökkenti a berendezések állásidejét és karbantartási költségeit, valamint javítja a gyártás hatékonyságát.

A VeTek Semiconductor CVD TaC Coating hordozója a fenti jellemzőket ötvözve nemcsak a folyamat megbízhatóságát és a termék minőségét javítja az epitaxiális növekedési folyamatban, hanem költséghatékony megoldást is nyújt a félvezetőgyártáshoz.

Tantál-karbid bevonat mikroszkopikus keresztmetszeten:

Tantalum carbide coating on a microscopic cross section picture

A CVD TaC Coating Carrier fizikai tulajdonságai:

A TaC bevonat fizikai tulajdonságai
Sűrűség	14,3 (g/cm³)
Fajlagos emissziós tényező	0.3
Hőtágulási együttható	6,3*10^-6/K
Keménység (HK)	2000 HK
Ellenállás	1×10^-5Ohm*cm
Hőstabilitás	<2500 ℃
A grafit mérete megváltozik	-10-20um
Bevonat vastagsága	≥20um tipikus érték (35um±10um)