TaC bevonatú tokmány

A VeTek Semiconductor TaC bevonatú tokmány kiváló minőségű TaC bevonattal rendelkezik, amely kiemelkedő magas hőmérsékleti ellenállásáról és kémiai tehetetlenségéről ismert, különösen a szilícium-karbid (SiC) epitaxy (EPI) folyamatokban. Kivételes jellemzőivel és kiváló teljesítményével a TaC bevonatoló tokmányunk számos kulcsfontosságú előnyt kínál. Elkötelezettek vagyunk amellett, hogy minőségi termékeket kínáljunk versenyképes áron, és már nagyon várjuk, hogy hosszú távú partnere lehessünk Kínában.

Kérdés küldése

termékleírás

A VeTek Semiconductor TaC bevonatoló tokmánya ideális megoldás kivételes eredmények eléréséhez a SiC EPI folyamatban. A TaC bevonattal, a magas hőmérséklettel szembeni ellenállással és a kémiai tehetetlenséggel termékünk lehetővé teszi, hogy kiváló minőségű kristályokat állítson elő precízen és megbízhatóan. Üdvözöljük, érdeklődjön tőlünk.

A TaC (tantál-karbid) egy anyag, amelyet általában epitaxiális berendezések belső alkatrészeinek felületének bevonására használnak. A következő jellemzőkkel rendelkezik:

Kiváló magas hőmérséklet-állóság: A TaC bevonatok akár 2200 °C hőmérsékletet is elviselnek, így ideálisak magas hőmérsékletű környezetben, például epitaxiális reakciókamrákban történő alkalmazásokhoz.

Nagy keménység: A TaC keménysége eléri a 3000-4000 HV-ot, ami sokkal keményebb, mint az általánosan használt rozsdamentes acél vagy alumíniumötvözet, amely hatékonyan megakadályozza a felületi kopást.

Erős kémiai stabilitás: A TaC bevonat jól teljesít kémiailag korrozív környezetben, és jelentősen meghosszabbíthatja az epitaxiális berendezés alkatrészeinek élettartamát.

Jó elektromos vezetőképesség: A TaC bevonat jó elektromos vezetőképességgel rendelkezik, ami elősegíti az elektrosztatikus felszabadulást és a hővezetést.

Ezek a tulajdonságok teszik a TaC bevonatot ideális anyaggá kritikus alkatrészek, például belső perselyek, reakciókamra falak és epitaxiális berendezések fűtőelemei gyártásához. Ezen alkatrészek TaC bevonásával javítható az epitaxiális berendezés általános teljesítménye és élettartama.

A szilícium-karbid epitaxiában a TaC bevonatdarab is fontos szerepet játszhat. A TaC bevonat felülete sima és sűrű, ami elősegíti a kiváló minőségű szilícium-karbid filmek kialakulását. Ugyanakkor a TaC kiváló hővezető képessége hozzájárulhat a berendezésen belüli hőmérséklet-eloszlás egyenletességének javításához, ezáltal javítva az epitaxiális folyamat hőmérsékletszabályozási pontosságát, és végső soron jobb minőségű szilícium-karbid epitaxiális rétegnövekedést érhet el.

A TaC bevonatdarab termékparamétere:

A TaC bevonat fizikai tulajdonságai
Sűrűség	14,3 (g/cm³)
Fajlagos emissziós tényező	0.3
Hőtágulási együttható	6,3 10-6/K
Keménység (HK)	2000 HK
Ellenállás	1×10-5 Ohm*cm
Hőstabilitás	<2500 ℃
A grafit mérete megváltozik	-10-20um
Bevonat vastagsága	≥20um tipikus érték (35um±10um)