TaC bevonatú tokmány

A VeTek Semiconductor TaC bevonatoló tokmánya az ideális megoldás kivételes eredmények eléréséhez a SiC EPI folyamatban. A TaC bevonattal, a magas hőmérséklettel szembeni ellenállással és a kémiai tehetetlenséggel termékünk lehetővé teszi, hogy kiváló minőségű kristályokat állítson elő precízen és megbízhatóan. Üdvözöljük, érdeklődjön tőlünk.

A TaC (tantál-karbid) egy anyag, amelyet általában epitaxiális berendezések belső alkatrészeinek felületének bevonására használnak. A következő jellemzőkkel rendelkezik:

● Kiváló magas hőmérsékletállóság: A TaC bevonatok akár 2200 °C hőmérsékletet is elviselnek, így ideálisak magas hőmérsékletű környezetben, például epitaxiális reakciókamrákban történő alkalmazásokhoz.

● Magas keménység: A TaC keménysége eléri a 2000 HK-t, ami sokkal keményebb, mint az általánosan használt rozsdamentes acél vagy alumíniumötvözet, amely hatékonyan megakadályozza a felületi kopást.

● Erős kémiai stabilitás: A TaC bevonat jól teljesít kémiailag korrozív környezetben, és nagymértékben meghosszabbíthatja az epitaxiális berendezés alkatrészeinek élettartamát.

● Jó elektromos vezetőképesség: A TaC bevonat jó elektromos vezetőképességgel rendelkezik, ami elősegíti az elektrosztatikus felszabadulást és a hővezetést.

Ezek a tulajdonságok teszik a TaC bevonatot ideális anyaggá kritikus alkatrészek, például belső perselyek, reakciókamra falak és epitaxiális berendezések fűtőelemei gyártásához. Ezen alkatrészek TaC bevonásával javítható az epitaxiális berendezés általános teljesítménye és élettartama.

A szilícium-karbid epitaxiában a TaC bevonatdarab is fontos szerepet játszhat. A TaC felülete A bevonat sima és sűrű, ami elősegíti a kiváló minőségű szilícium-karbid filmek kialakulását. Ugyanakkor a TaC kiváló hővezető képessége hozzájárulhat a berendezésen belüli hőmérséklet-eloszlás egyenletességének javításához, ezáltal javítva az epitaxiális folyamat hőmérsékletszabályozási pontosságát, és végső soron jobb minőségű szilícium-karbid epitaxiális rétegnövekedést érhet el.