TaC bevonat szuszceptor

A VeTek Semiconductor bemutatja a TaC Coating Susceptort. Kivételes TaC bevonatával ez a szuszceptor számos előnnyel rendelkezik, amelyek megkülönböztetik a hagyományos megoldásoktól. A VeTek Semiconductor TaC bevonatú szuszceptorja a meglévő rendszerekbe zökkenőmentesen integrálva garantálja a kompatibilitást és a hatékony működést. Megbízható teljesítménye és kiváló minőségű TaC bevonata folyamatosan kivételes eredményeket biztosít a SiC epitaxiás folyamatokban. Elkötelezettek vagyunk amellett, hogy minőségi termékeket kínáljunk versenyképes áron, és már nagyon várjuk, hogy hosszú távú partnere lehessünk Kínában.

Kérdés küldése

termékleírás

A VeTek Semiconductor TaC bevonatú szuszceptorja és gyűrűje együtt működik az LPE szilícium-karbid epitaxiális növekedési reaktorban:

Magas hőmérsékleti ellenállás: A TaC bevonatú szuszceptor kiváló magas hőmérsékleti ellenállással rendelkezik, képes ellenállni az extrém hőmérsékleteknek akár 1500 °C-ig az LPE reaktorban. Ez biztosítja, hogy a berendezés és az alkatrészek ne deformálódjanak vagy sérüljenek meg a hosszú távú működés során.

Kémiai stabilitás: A TaC bevonatú szuszceptor rendkívül jól teljesít a korrozív szilícium-karbid növekedési környezetben, hatékonyan védi a reaktor alkatrészeit a korrozív vegyi támadásoktól, ezáltal meghosszabbítja azok élettartamát.

Hőstabilitás: A TaC bevonat szuszceptor jó termikus stabilitással rendelkezik, fenntartja a felület morfológiáját és érdességét, hogy biztosítsa a hőmérsékleti mező egyenletességét a reaktorban, ami előnyös a szilícium-karbid epitaxiális rétegek jó minőségű növekedéséhez.

Szennyezés elleni védelem: A sima TaC bevonatú felület és a kiváló TPD (hőmérsékletű programozott deszorpció) teljesítmény minimalizálja a részecskék és szennyeződések felhalmozódását és adszorpcióját a reaktorban, megakadályozva az epitaxiális rétegek szennyeződését.

Összefoglalva, a TaC bevonatú szuszceptor és gyűrű kritikus védő szerepet tölt be az LPE szilícium-karbid epitaxiális növekedési reaktorban, biztosítva a berendezés hosszú távú stabil működését és az epitaxiális rétegek jó minőségű növekedését.

A TaC Coating Susceptor termékparaméterei:

A TaC bevonat fizikai tulajdonságai
Sűrűség	14,3 (g/cm³)
Fajlagos emissziós tényező	0.3
Hőtágulási együttható	6,3 10-6/K
Keménység (HK)	2000 HK
Ellenállás	1×10-5 Ohm*cm
Hőstabilitás	<2500 ℃
A grafit mérete megváltozik	-10-20um
Bevonat vastagsága	≥20um tipikus érték (35um±10um)