Tantál-karbid bevonatú tokmány

A VeTek Semiconductor a vezető tantál-karbid bevonatú tokmánygyártó és innovátor Kínában. Sok éve a TaC bevonatokra specializálódtunk. Termékeink nagy tisztaságúak és 2000℃-ig magas hőmérséklet-állósággal rendelkeznek. Bízunk benne, hogy hosszú távú termékeivé válhatunk. partner Kínában.

Kérdés küldése

termékleírás

A VeTek Semiconductor kiváló minőségű tantál-karbid bevonatú tokmányt, SiC bevonatú alkatrészeket kínál versenyképes áron. Üdvözöljük, érdeklődjön tőlünk. A VeTek félvezető tantál-karbid bevonatú tokmány, kifejezetten az AIXTRON G10 MOCVD rendszerhez tervezve. Ez a kiegészítő javítja a félvezetőgyártás hatékonyságát és minőségét, kiemelkedő teljesítményt és megbízhatóságot biztosítva.

A kiváló minőségű anyagokból készült és precízen gyártott tokmány CVD-tantál-karbiddal (TaC) bevont grafit szubsztrátummal rendelkezik. Ez a bevonat kiváló termikus stabilitást, nagy tisztaságot és magas hőmérsékletekkel szembeni ellenállást biztosít. Megbízható teljesítményt biztosít a MOCVD-folyamatok szigorú körülményei között.

A tokmány testreszabható a különböző méretű félvezető lapkákhoz, így alkalmas különféle gyártási követelményekre. Robusztus felépítése minimalizálja az ostyatartókkal és szuszceptorokkal kapcsolatos állásidőt és karbantartási költségeket.

A VeTek Semiconductor tantál-karbid bevonatú tokmány segítségével az AIXTRON G10 MOCVD rendszer nagyobb hatékonyságot és kiváló eredményeket ér el a félvezetőgyártásban. Kivételes hőstabilitása, kompatibilitása a különböző szeletméretekkel és megbízható teljesítménye elengedhetetlen eszközzé teszik a gyártási hatékonyság optimalizálásához és a kiemelkedő eredmények eléréséhez a kihívásokkal teli MOCVD környezetben.

A tantál-karbid bevonatú tokmány termékparaméterei

A TaC bevonat fizikai tulajdonságai
Sűrűség	14,3 (g/cm³)
Fajlagos emissziós tényező	0.3
Hőtágulási együttható	6,3 10-6/K
Keménység (HK)	2000 HK
Ellenállás	1×10-5 Ohm*cm
Hőstabilitás	<2500 ℃
A grafit mérete megváltozik	-10-20um
Bevonat vastagsága	≥20um tipikus érték (35um±10um)