Tantál-karbid gyűrű

A VeTek Semiconductor's Tantál Carbide (TaC) gyűrű kiváló minőségű grafitot használ maganyagként, és egyedülálló szerkezetének köszönhetően képes megőrizni alakját és mechanikai tulajdonságait a kristálynövekedési kemence extrém körülményei között. A grafit magas hőállósága kiváló stabilitást biztosít a teljes felületenkristálynövekedési folyamat.

A TaC Gyűrű külső rétegét atantál-karbid bevonat, rendkívül nagy keménységéről, 3880°C feletti olvadáspontjáról és kiváló kémiai korrózióállóságáról ismert anyag, így különösen alkalmas magas hőmérsékletű üzemi környezetekre. A tantál-karbid bevonat erős gátat képez az heves kémiai reakciók hatékony megelőzéséhez, és biztosítja, hogy a grafitmagot ne korrodáljanak a magas hőmérsékletű kemencegázok.

Alattszilícium-karbid (SiC) kristályok növekedése, a stabil és egyenletes növekedési feltételek kulcsfontosságúak a kiváló minőségű kristályok biztosításához. A tantál-karbid bevonógyűrű létfontosságú szerepet játszik a gázáramlás szabályozásában és a kemencén belüli hőmérséklet-eloszlás optimalizálásában. Gázvezető gyűrűként a TaC gyűrű biztosítja a hőenergia és a reakciógázok egyenletes eloszlását, biztosítva a SiC kristályok egyenletes növekedését és stabilitását.

Ezenkívül a grafit magas hővezető képessége és a tantál-karbid bevonat védőhatása lehetővé teszi, hogy a TaC vezetőgyűrű stabilan működjön a SiC kristálynövekedéshez szükséges magas hőmérsékletű környezetben. Szerkezeti szilárdsága és méretstabilitása döntő fontosságú a kemence körülményeinek fenntartásához, ami közvetlenül befolyásolja az előállított kristályok minőségét. A hőingadozások és a kemencében zajló kémiai reakciók csökkentésével a TaC Coating Ring segít kiváló elektronikus tulajdonságokkal rendelkező kristályok létrehozásában a nagy teljesítményű félvezető alkalmazásokhoz.

A VeTek Semiconductor tantál-karbid gyűrűje kulcsfontosságú összetevőjeszilícium-karbid kristály növesztő kemencékés kiemelkedik kiváló tartósságával, termikus stabilitásával és vegyszerállóságával. A grafitmag és a TaC bevonat egyedülálló kombinációja lehetővé teszi, hogy megőrizze szerkezeti integritását és funkcionalitását zord körülmények között is. A kemencén belüli hőmérséklet és gázáramlás pontos szabályozásával a TaC Coating Ring biztosítja a szükséges feltételeket a kiváló minőségű SiC kristályok előállításához, amelyek kritikusak a legmodernebb félvezető alkatrészek gyártásában.

Tantál-karbid (TaC) bevonat mikroszkopikus keresztmetszeten：