A VeTek Semiconductor professzionális GaN gyártója SiC epi szuszceptoron, CVD SiC bevonaton és CVD TAC COATING grafit szuszceptoron Kínában. Közülük a SiC epi szuszceptoron lévő GaN létfontosságú szerepet játszik a félvezető feldolgozásban. Kiváló hővezető képessége, magas hőmérsékletű feldolgozási képessége és kémiai stabilitása révén biztosítja a GaN epitaxiális növekedési folyamat magas hatékonyságát és anyagminőségét. Őszintén várjuk további konzultációját.
Mint szakemberfélvezető gyártóKínában,VeTek Semiconductor GaN SiC epi akceptoronkulcsfontosságú összetevője az előkészítési folyamatnakGaN SiC-neszközöket, és teljesítménye közvetlenül befolyásolja az epitaxiális réteg minőségét. A GaN SiC eszközökön való széleskörű alkalmazásával a teljesítményelektronikában, az RF eszközökben és más területeken a követelmények aSiC epi vevőegyre magasabb lesz. A VeTek Semiconductor a félvezetőipar számára a legkiválóbb technológiát és termékmegoldásokat kínálja, és üdvözli tanácsát.
● Magas hőmérsékletű feldolgozási képesség: A SiC epi-szuceptoron lévő GaN-t (szilícium-karbid epitaxiális növekedési korongon alapuló GaN) főként a gallium-nitrid (GaN) epitaxiális növekedési folyamatában használják, különösen magas hőmérsékletű környezetben. Ez az epitaxiális növekedési korong rendkívül magas feldolgozási hőmérsékletnek is ellenáll, általában 1000 °C és 1500 °C között, így alkalmas GaN anyagok epitaxiális növekedésére és szilícium-karbid (SiC) szubsztrátok feldolgozására.
● Kiváló hővezető képesség: A SiC epi szuszceptornak jó hővezető képességgel kell rendelkeznie, hogy a fűtőforrás által termelt hőt egyenletesen átadhassa a SiC szubsztrátumnak, hogy biztosítsa a hőmérséklet egyenletességét a növekedési folyamat során. A szilícium-karbid rendkívül magas hővezető képességgel rendelkezik (körülbelül 120-150 W/mK), a SiC Epitaxy szuszceptoron lévő GaN pedig hatékonyabban vezeti a hőt, mint a hagyományos anyagok, például a szilícium. Ez a tulajdonság kulcsfontosságú a gallium-nitrid epitaxiális növekedési folyamatában, mivel segít fenntartani a szubsztrátum hőmérsékleti egyenletességét, ezáltal javítja a film minőségét és konzisztenciáját.
● A környezetszennyezés megelőzése: A SiC Epi szuszceptoron lévő GaN anyagának és felületkezelési eljárásának képesnek kell lennie arra, hogy megakadályozza a növekedési környezet szennyezését és elkerülje a szennyeződések bejutását az epitaxiális rétegbe.
Professzionális gyártókéntGaN SiC epi akceptoron, Porózus grafitésTaC bevonólemezKínában a VeTek Semiconductor mindig ragaszkodik a személyre szabott termékszolgáltatásokhoz, és elkötelezett amellett, hogy az iparágat csúcstechnológiával és termékmegoldásokkal lássa el. Őszintén várjuk konzultációjukat és együttműködésüket.
A CVD SiC bevonat alapvető fizikai tulajdonságai |
|
Bevonat tulajdonságai |
Tipikus érték |
Kristályszerkezet |
FCC β fázisú polikristályos, főleg (111) orientált |
CVD SiC bevonat Sűrűség |
3,21 g/cm³ |
Keménység |
2500 Vickers keménység (500g terhelés) |
Szemcseméret |
2~10μm |
Kémiai tisztaság |
99,99995% |
Hőkapacitás |
640 J·kg-1·K-1 |
Szublimációs hőmérséklet |
2700 ℃ |
Hajlító szilárdság |
415 MPa RT 4 pontos |
Young's Modulus |
430 Gpa 4pt kanyar, 1300 ℃ |
Hővezetőképesség |
300W·m-1·K-1 |
Hőtágulás (CTE) |
4,5×10-6K-1 |